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第 9 章 常用晶体管 9 . 1 半导体的基本知识 9 . 1 . 1 本征半导体 1 ．本征半导体的原子结构 半导体锗和硅都是 4 价元素，其原子结构示意图如图 9 一 1 所示。它们的最外层都有 4 个价电子，带 4 个单位负电荷。通常把原子核和内层电子称为 2 ．本征激发 在本征半导体内部，自由电子与空穴总是成对出现的，因此将它们称为电子一空穴对。当自由电子在运动过程中遇到空穴时，可能会填充进去从而恢复一个共价键，与此同时消失一个电子一空穴对，这一相反过程称为复合。 9 . 1 . 2N 型半导体和P型半导体 1 . N 型半导体 9 . 1 . 3 PN 结 1 . PN 结的形成 在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成 N 型半导体，另一边形成 P 型半导体，那么在两种半导体交界面附近就形成了 PN 结，如图 9 一 5 所示。 2 . PN 结的单向导电牲 PN 结在未加外加电压时，扩散运动与漂移运动处于动态平衡，通过 PN 结的电流为零。当电源正极接 P 区，负极接 N 区时，称为给 PN 结加正向电压或正向偏置，如图 9 一 6 所示。 9 . 2 晶体二极管 9 . 2 . 1 基本结构 晶体二极管也称半导体二极管，它是在 PN 结两侧接上电极引线，再用管壳封装而成的。按其结构，通常有点接触型和面结合型两类。常用符号如图 9 一 7 所示。 1 ．类型 ( 1 ）按材料分有硅二极管、锗二极管和砷化稼二极管等。 ( 2 ）按结构分：根据 PN 结面积大小，有点接触型、面结合型二极管 ( 3 ）按用途分：有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼二极管等。 ( 4 ）按封装形式分：有塑封及金属封等二极管。 ( 5 ）按功率分：有大功率、中功率及小功率二极管等。 2 ．半导体二极管的命名方式 半导体器件的型号由 4 个部分组成，如图 9 一 n 所示。如 2APg , 2 ’表示电极数为 2 , “A”表示 N 型锗材料， P ”表示普通管， 9 ’表示序号。 9 . 2 . 2 伏安特性 1 ．正向特牲 由图 9 一 12 可以看出，当所加的正向电压为零时，电流为零；当正向电压较小时，由于外电场远不足以克服 PN 结内电场对多数载流子扩散运动所造成的阻力，故正向电流很小（几乎为零），二极管呈现出较大的电阻。这段曲线称为死区。 2 ．反向特牲 当二极管两端外加反向电压时， PN 结内电场进一步图 9 一 12 二极管的伏安特性曲线增强，使扩散更难进行。 3 ．反向击穿特牲 击穿特性的特点是：虽然反向电流剧增，但二极管的端电压变化很小，这一特点成为制作稳压二极管的依据。 4 ．激发对二极管伏安特牲的影响 二极管是温度的敏感器件，温度的变化对其伏安特性的影响主要表现为：随着温度的升高，其正向特性曲线左移，即正向压降减小；反向特性曲线下移，即反向电流增大。一般在室温附近，温度每升高 1 ℃ ，其正向压降减小 2 一 2 . 5 mV ；温度每升高 10 ℃ ，反向电流增大 1 倍左右。 9 . 2 . 3 主要参数 ( 1 ）最大整流电流 ( 2 ）反向击穿电压 UBR和最大反向工作电压URM ( 3 ）反向峰值电流 ( 4 ）正向压降 ( 5 ）动态电阻 9 . 2 . 4 二极管的简易测试 9 . 2 . 5 二极管应用举例 9.3晶体三极管 9 . 3 . 1 基本结构 1 ．结构和符号 双极型半导体三极管的结构示意图如图 9 一 15 所示E 一 B 间的 PN 结称为发射结， C 一 B 间的 PN 结称为集电结。 2 ．三极管的分类 ( 1 ）按其结构类型分为 NPN 管和 PNP 管； ( 2 ）按其制作材料分为硅管和锗管； ( 3 ）按工作频率分为高频管和低频管； ( 4 ）按功率分为小功率管和大功率管； ( 5 ）按用途分有普通三极管和开关管。 9 . 3 . 2 电流分配和放大原理 1 ．双极型半导体三极管内部电流分配关系 双极型半导体三极管在工作时，一定要加上适当的直流偏置电压。若工作在放大状态，发射结加正向电压，集电结加反向电压。现以 NPN 型三极管为例，当它导通时， 3 个电极上的电流必然满足节点电流定律，即流人三极管的基极电流几和集电极电流 IC 等于流出三极管的发射极电流几，即 （3）电流分配关系： 2 ．双极型半导体三极管的放大原理 1 ）三极管的 3 种连接方式 2 ）三极管的电流放大系数 对于集电极电流 Ic 和基极电流极之间