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第三章 场效应管 前言 场效应管(FET)是另一种具有正向受控作用的半导体器件，分MOS场效应管(MOSFET)与结型场效应管(JFET)两种类型。MOSFET与JFET工作原理类似，它们都是利用电场效应控制电流，不同之外仅在于导电沟道形成的原理不同。由于场效应管只有多子参与导电，故常称为单极型器件，相应地，将晶体三极管称为双极型器件。 学习本章时，要时刻将声效应管与晶体三极管相对照，这样不仅可以加深对FET工作原理、模型及分析方法的理解，而且还可以找出它们的异同点，便于掌握。 当负值衬底电压VUS 衬底中的空间电荷区向底部扩展 空间电荷区的负离子数增多 由于VGS不变 导电沟道中自由电子减少 沟道电阻增大 A N D P N P G S VGS VDS U VUS ID 减小 VGS(V) ID(mA) VUS = 0 -4V -2V 5.5V 0 VGS(V) ID(mA) VUS = 0 VUS=-4V VUS=-2V 0 4、P 沟道EMOS场效应管 电路符号 G D U S 源极 漏极 栅极 衬底 P D N P N G S VGS VDS （1）、非饱和区： （2）、饱和区： （3）、截止区： （4）、衬底电压 即为正值。 二、耗尽型MOS场效应管（DMOS） 结构示意图 N D P N P G S U N D 漏极 U 衬底 G栅极 S源极 电路符号 N沟道DMOS场效应管 P D N P N G S P U D 漏极 U 衬底 G栅极 S源极 电路符号 P沟道DMOS场效应管 2、伏安特性： 以 N 沟道DMOS管为例 ID/mA -1.5V -0.5V -1V VGS=0.5V 0V 0 VDS = VGS-VGS(th) 5 10 -1.8V 20 15 VDS/V VGS=1V ID/mA -2 -1 VGS/V 0 0.5 1 四、小信号电路模型 1、MOS管（EMOS、DMOS）的衬底与源极相连，并且工作在饱和区条件下。设在直流量上叠加很小的交流量，则有 设 取 vGS 、vDS 为自变量，iG 、iD 分别为vGS 、vDS 的非线性函数 输入回路 输出回路 用幂级数在Q点上对交流量展开，得 高次项 设交流量很小，高次项可忽略。并且令 则有 式中 gm 为跨导 gds 为输出电导 令 rds 为输出电阻 * * 课件制作：地里木拉提.吐尔逊 许 植 第三章 场效应管 第三章 前言 第一节 MOS场效应管 第二节 结型场效应管 第三节 场效应管应用 教学要求： 了解MOS场效应管与结型场效应管的工作原理，重点了解场效应管中预夹断的基本概念。 熟悉场效应管的数学模型、直流简化电路模型、曲线模型及小信号电路模型，掌握各种模型的特点及应用场合。 熟悉放大模式下各种场效应管的外部工作条件。 掌握场效应管放大电路分析方法：估算法及小信号等效电路法。能熟练利用估算法分析电路的直流工作点。 熟悉场效应管与三极管之间的异同点。 本章3.3节根据教学需要，可作为扩展内容。 场效应管：是另一种具有正向受控作用的半导体器件。 类型 绝缘栅型：MOS场效应管 金属——氧化物——半导体 P沟道 N沟道 耗尽型 增强型 结型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 3.1 MOS场效应管 一、增强型MOS(EMOS)场效应管 电路符号 G D U S 源极 漏极 栅极 衬底 N沟道EMOS场效应管结构示意图 N D P N P G S 耗尽层 1、工作原理 （1）、导电沟道形成原理： 当 VDS = VGS = 0 时 结构示意图 当 VDS = 0 ，在栅极G与源极S之间外加电压VGS 时： N D P N P G S VGS 随着VGS 的增大电场增强 N D P N P G S VGS 随着VGS 继续增大，电场继续增强 N D P N P G S VGS P型半导体，转型为N型半导体，称为反型层。此时如外加VDS电压，将有电流自漏区流向源区。 根据结构图看出，反型层的宽窄,可由VGS 的大小来调整。我们将反型层，称为导电沟道，由于反型层是N型半导体，则称为N沟道。 N D P N P G S VGS 所对应的VGS电压，称为开启电压，用VGS(th) 表示。 形成导电沟道时： （2）、VDS对沟