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第5期 微细加工技术 No．5
2008年 10月 MICR0FABRICATION TECHNOLOGY Oct．，2008
文章编号：1003．8213(2008)05．0005—04
利用压印技术制备大面积相变材料阵列
刘彦伯 ，钮晓鸣 ，宋志棠 ，闵国全 ，万永中 ，张 静 ，周伟民 一，李小丽 ，张 挺 ，张剑平
(1．上海市纳米科技与产业发展促进中心 纳米加工技术实验室 ，上海 200237；
2．中国科学院上海微系统与信息技术研究所 纳米技术研究室，上海 200050)
摘要：采用高效、低成本的紫外压印技术(uv—IL)在 2in．Si／SiO2基 Ti／TiN／Si2Sb2Te5(SST)多层膜表面制备 了密
度为3．8M／In 的AMONIL点阵结构，并通过反应离子刻蚀得到相变材料 SST阵列；电阻与脉冲宽度特性测得
SST基 PCRAM存储单元 SET／RESET电阻值变化约30倍，I—v特性表明，阈值 电压为 1．18v。此外，时间分辨
XRD原位加热情况下 SST薄膜结构变化说明，SST材料的相变发生在 200℃～300℃之间。
关 键 词：UV—IL；SST阵列 ；PCRAM；存储单元
中图分类号：TN305 文献标识码 ：A
体系和PCRAM开发提供实验依据。
1 引言
2 实验
围绕低压、低功耗、高速和高密度存储器件商业化进程 ，
UV—IL制作相变材料 SST阵列工艺流程如图 1所示。
相变存储器 (Dhasechang。randomaccessmemory，PCRAM)必 首先在两块覆盖 SiO，(经热氧化法生成)的硅片表面用溅射
须减小相变区域 ，提高集成密度 ，而相变材料 (PCM)高密度
法分别沉积 Ti，TiN和 SST，厚度分别是 100nm，40nm和
阵列一致性制备是一个核心问题。当器件结构进入纳米尺度
150nm，SST薄膜用 si，sb和 Te单靶溅射，然后在其中一块
后，采用电子束曝光、聚焦离子束和光学曝光等常规微细加工
上再沉积 100nm厚的w作 uv—IL用 (如图 1a)。为防止脱
技术的开发成本急剧增加，尤其是新材料和新结构为稳定性
模过程中模版和压印胶粘连，压印前用碳氟化合物对石英模
能要优化参数，致使开发成本更高，所以新材料筛选和新结构
版表面进行气相法处理 45rain后 150℃下退火 1h，在模版
研究正面临高成本和低 效率 的困境。而紫外压 印 (uv
结构表面形成一层类似 Teflon性质的 自组装单分子膜，以减
imprintlithographv，UV—IL)技术可以廉价地在大面积基片上 小表面能、降低其与压印胶之间的粘附力，处理过程是在氮气
重复、大批量的制备各种图形结构，具有精度高、效率高、成本
环境 中进行的。接着在样品表面旋涂一层粘合剂和 380nm
低 、尺寸一致性易于控制的综合优势l】-5J，正好满足新材料筛
紫外压印胶AMONILMMS4(AMO，GmbH，德国)，如图1b，
选和新结构加工研究需要 ，这将大大加速新相变材料和新存
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