光电技术姆第4章1.pptVIP

2.量子效率 3. 光谱响应 4.3 光电倍增管的基本特性 4.3.1 灵敏度 4.3.2 电流放大倍数（增益） 4.3.3 暗电流 4.3.4 噪声 4.3.5 伏安特性 2. 阳极伏安特性 4.3.6 线性 4.3.7 疲劳与衰老 G V －HV E A 10-10~10-6lm 电流放大倍数表征了光电倍增管的内增益特性，它不但与倍增极材料的二次电子发射系数δ有关，而且与光电倍增管的级数N有关。理想光电倍增管的增益G与电子发射系数δ的关系为 当考虑到光电阴极发射出的电子被第1倍增极所收集，其收集系数为η1，且每个倍增极都存在收集系数ηi，因此，增益G应修正为 对于非聚焦型光电倍增管, η1近似为90%。 ηi要高于η1 ，但小于1； 对于聚焦型的，尤其是在阴极与第1倍增极之间具有电子限束电极F的倍增管，其η1≈ηi ≈ 1。 倍增极的二次电子发射系数δ可用经验公式计算，对于锑化铯（Cs3Sb）倍增极材料有经验公式 对于氧化的银镁合金（AgMgO）材料有经验公式 δ=0.025UDD 对于锑化铯倍增极材料 对银镁合金材料 光电倍增管在电源电压确定后，电流放大倍数可以从定义出发，通过测量阳极电流Ia与阴极电流Ik确定。 光电倍增管在无辐射作用下的阳极输出电流称为暗电流，记为ID。光电倍增管的暗电流值在正常应用的情况下是很小的，一般为~nA，是所有光电探测器件中暗电流最低的器件。 影响暗电流的主要因素： 1. 欧姆漏电 欧姆漏电主要指光电倍增管的电极之间玻璃漏电、管座漏电和灰尘漏电等。欧姆漏电通常比较稳定，对噪声的贡献小。在低电压工作时，欧姆漏电成为暗电流的主要部分。 2. 热发射 由于光电阴极材料的光电发射阈值较低，容易产生热电子发射，即使在室温下也会有一定的热电子发射，并被电子倍增系统倍增。 降低光电倍增管的温度是减小热发射暗电流的有效方法。 3. 残余气体放电 光电倍增管中高速运动的电子会使管中的残余气体电离，产生正离子和光子，它们也将被倍增，形成暗电流。这种效应在工作电压高时特别严重，使倍增管工作不稳定。 4. 场致发射 光电倍增管的工作电压高时还会引起管内电极尖端或棱角的场强太高产生的场致发射暗电流。显然降低工作电压场致发射暗电流也将下降。 5. 玻璃壳放电和玻璃荧光 当光电倍增管负高压使用时，金属屏蔽层与玻璃壳之间的电场很强，尤其是金属屏蔽层与处于负高压的阴极电场最强。在强电场下玻璃壳可能产生放电现象或出现玻璃荧光，放电和荧光都要引起暗电流，而且还将严重破坏信号。因此，在阴极为负高压应用时屏蔽壳与玻璃管壁之间的距离至少为10~20mm。 光电倍增管的噪声主要由散粒噪声和负载电阻的热噪声组成。负载电阻的热噪声为 散粒噪声主要由阴极暗电流Id，背景辐射电流Ib以及信号电流Is的散粒效应所引起的。阴极散粒噪声电流为 散粒噪声电流将被逐级放大，并在每一级都产生自身的散粒噪声。如第1级输出的散粒噪声电流为 第2级输出的散粒噪声电流为 第n级倍增极输出的散粒噪声电流为 为简化问题，设各倍增极的发射系数都等于δ（各倍增极的电压相等时发射系数相差很小）时，则倍增管末倍增极输出的散粒噪声电流为 δ通常δ在3~6之间， 接近于1，并且，δ越大， 越接近于1。光电倍增管输出的散粒噪声电流简化为 总噪声电流为 在设计光电倍增管电路时，总是力图使负载电阻的热噪声远小于散粒噪声 ＜＜ 设光电倍增管的增益G=104，阴极暗电流Idk=10-14A，在室温300K情况下，只要阳极负载电阻Ra满足 当然，提高光电倍增管的增益（增高电源电压）G，降低阴极暗电流Idk都会减少对阳极电阻Ra的要求，提高光电倍增管的时间响应。 1. 阴极伏安特性 当入射光电倍增管阴极面上的光通量一定时，阴极电流Ik与阴极和第一倍增极之间电压(简称为阴极电压Uk)的关系曲线称为阴极伏安特性， 图4-6为不同光通量下测得的阴极伏安特性。从图中可见，当阴极电压较小时阴极电流Ik随Uk的增大而增加，直到Uk大于一定值(几十伏特)后，阴极电流Ik才趋向饱和，且与入射光通量φ成线性关系。 当入射到光电倍增管阳极面上的光通量一定时，阳极电流Ia与阳极和末级倍增极之间电压(简称为阳极电压Ua)的关系曲线称为阳极伏安特性，图4-7为3组不同强度的光通量的伏安特性。 当阳极电压增大到一