第5章09场效应闪管放大器.pptVIP

5.1 场效应管 5.1.1 结型场效应管: 符号： 二、工作原理（以N沟道为例） 漏源电压VDS对iD的影响 4.1.2 伏安特性曲线及参数 （2）恒流区：(又称饱和区或放大区） （3）夹断区： 2、转移特性曲线 结型场效应管的特性小结 5.1 金属-氧化物-半导体场效应管 5.1.1 N沟道增强型绝缘栅场效应管NMOS 2、N沟道增强型MOS场效应管的工作原理 N沟道增强型场效应管的工作原理 2 .漏源电压VDS对沟道导电能力的影响 当VDS为0或较小时，VGD＞VT，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。 MOSFET的特性曲线 2.转移特性曲线— VGS对ID的控制特性 增强型MOS管特性小结 耗尽型MOSFET 耗尽型MOSFET的特性曲线 场效应三极管的参数和型号 4. 输入电阻RGS 场效应管与晶体管的比较 耗尽型 4.4 场效应管放大电路 (2) 分压式偏压电路 4.4.2 小信号模型分析法 2.用小信号模型进行交流分析 例4.4.2 源极输出器 小信号等效电路 （1）电压放大倍数 (2) 输入电阻 (3) 输出电阻 uo +UDD RS ui C1 R1 RG R2 RL 150k 50k 1M 10k D S C2 G 一、静态分析 US?UG UDS=UDD- US =20-5=15V 第5章 场效应管及其基本放大电路 1. 特点: (1)导电能力由电压控制的半导体器件。 (2) 仅靠多数载流子导电,又称单极型晶体管。 (3) 体积小、耗电少、寿命长等优点， (4) 输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、 噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。 (5)广泛用于大规模及超大规模集成电路。 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 2.场效应管分类： N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G栅极 S源极 D漏极 结构: 导电沟道 PN结 P 沟道结型场效应管 D G S N沟道结型场效应管 D G S 当 UDS= 0 V时： UGS * 若加入UGS 0,PN结反偏，耗尽层变厚 * 若UGS = 0,沟道较宽，沟道电阻小 沟道变窄，沟道电阻增大 * 若UGS = VP （夹断电压）时 沟道夹断，沟道电阻很大 |UGS|越大,则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 但当|UGS|较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 沟道夹断时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS ? 0V，漏极电流ID=0A。 加入UGS使沟道变窄，该类型效应管称为耗尽型 当VDS继续增加时，预夹断区向源极方向伸长。 * 在栅源间加电压VGS，漏源间加电压VDS。 由于漏源间有一电位梯度VDS 上端（漏端）VGD=VGS-VDS 即 |VGD|=|VGS|+|VDS| 下端（源端）VGD=VGS 使沟道呈楔形 耗尽层上下量端受的反偏电压不同 沟道夹断前，iD 与 vDS 近似呈线性关系。 当VDS增加到使VGD=VGS-VDS =VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断点。 随VDS增大，这种不均匀性越明显。 电阻增大，使VDS增加不能使漏极也增大，漏极电流 iD 趋于饱和。 特点: (1)当vGS 为定值时, 管子的漏源间呈线性电阻，且其阻值受 vGS 控制 ，（ iD 是 vDS 的线性函数）。 （2）管压降vDS 很小。 用途：做压控线性电阻和无触点的、闭合状态的电子开关。 条件： 源端与漏端沟道都不夹断 （1）可变电阻区 1、输出特性曲线： （动画2-6） 用途: 可做放大器和恒流源。 条件: (1)源端沟道未夹断 (2)漏端沟道予夹断 (2) 恒流性：输出电流 iD 基本上不受输出电压 vDS 的影响。 特点: (1) 受控性： 输入电压 vGS 控制输出电流 为饱和漏极电流 I DSS 用途：做无触点的、接通状态的电子开关。 条件：整个沟道都夹断 （4）击穿区 当漏源电压增大到 时，漏端PN结发生雪崩击穿，使iD 剧增的区域。其值一般为（20— 50）V之间。由于VGD=VGS-VDS, 故vGS越负，对应的VP就越小。管子不能在击穿区工作。 特点： 输入电压VGS对输出漏极电流ID的控制 结型场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 绝缘栅型场效应管( Metal Oxide Semiconductor ) —— MOSFET