2019年国家科学技术奖提名项目公示内容（技术发明奖）一、提名意见.PDF

2019 年国家科学技术奖提名项目公示内容 （技术发明奖） 项目名称: 大尺寸硅片超精密磨削技术与装备 提名者: 教育部 一、提名意见 提名意见： 我单位认真审阅了该项目提名书及附件材料，确认全部材料真实有效，相关内容 符合国家科技奖的提名要求。 单晶硅片是集成电路（IC）芯片制造最主要的衬底材料，大尺寸硅片超精密磨削 是IC芯片制造的关键技术之一。我国大尺寸硅片超精密磨削技术和设备完全依赖进 口，成为制约“中国芯”制造的技术瓶颈之一。 该项目历时15年，系统研究了大尺寸硅片超精密磨削基础理论、技术及装备，主 要技术发明包括：（1）发明了单颗粒金刚石纳米切深高速划擦试验方法与装置，发 明了硅片的金刚石砂轮高效低损伤磨削工艺，研制出系列化金刚石砂轮。（2）发明 了单晶硅等硬脆晶体的软磨料砂轮机械化学磨削新原理新技术，开发出磨削硅片的系 列化软磨料砂轮及超低损伤磨削工艺。（3）发明了大尺寸硅片加工变形测量方法与 设备，发明了消除硅片重力附加变形的计算分离法和液浸消除法。（4）发明了恒速 进给磨削和控制力磨削相结合的高效磨削工艺及加工控制方法，研制出国内首台 300mm硅片双主轴三工位全自动超精密磨床和国际首台300mm硅片双主轴两工位多功 能超精密磨床。 研究成果已应用于我国首条国产300mm硅材料成套加工设备示范线中硅片的磨削 以及激光反射镜的磨削加工。还可推广应用于蓝宝石等硬脆基片的超精密加工，应用 前景广阔，社会效益显著。授权美国发明专利1项，中国发明专利31项，软件著作权2 项，发表论文78篇；通过部级成果鉴定5项，获2018年高等学校技术发明奖一等奖和 中国机械工业科学技术奖一等奖。 对照国家技术发明奖授奖条件，提名该项目为2019年度国家科学技术奖技术发明 二等奖。 二、项目简介 （限1 页） 硅片又称硅晶圆，是制作集成电路（IC ）的重要材料。运用注入、沉积、 光刻等工艺在硅片上制成IC 芯片，要求硅片具有超平整超光滑无损伤表面。超 精密磨削主要用于衬底硅片的平整化加工和带图案硅片的背面减薄，磨削损伤 导致的碎片将使高附加值的晶圆制造“前功尽弃” 。大尺寸硅片磨削的规模化生产 要求高效率和极高成品率（99.99% ），及极端加工精度和质量。而硅片高硬度、 高脆性、大径厚比（300/0.75~300/0.05 ）、超薄低刚度（≤50μm ）的特点和易变形、 易损伤、精度质量不易保证的难题，对先进的磨削工艺和装备提出了迫切需求。 本项目面向国家重大需求，承担国家重大项目，持续15 年，系统研究了大 尺寸硅片超精密磨削基础理论、工艺、关键技术及装备，主要技术发明如下： （1）首创了单晶硅等硬脆晶体磨削机理研究的单颗粒金刚石纳米切深高速 划擦试验方法与装置，揭示了单晶硅超精密磨削的材料去除和表面损伤形成机 理，提出了在表面损伤深度和加工效率约束下的金刚石砂轮特性参数以及磨削 工艺参数选择方法，发明了系列化的稳定自锐金刚石砂轮及其高效低损伤磨削 工艺。在保证精磨去除率6μm/min 约束条件下，表面损伤深度控制在70nm 以下。 （2 ）发明了软磨料砂轮机械化学磨削（MCG ）新原理新技术。提出了“ 以 软磨硬” 的反常规磨削加工理念，发明了采用软磨料弱化机械作用和引入化学作 用的低损伤磨削方法，发明了系列化软磨料砂轮，开发了低损伤磨削工艺，实 现了硅片表面损伤深度≤15nm 的“超低损伤”磨削。 （3 ）发明了大尺寸薄硅片变形测量方法与设备。提出了硅片轮廓非接触扫 描测量方法，发明了消除重力附加变形的计算分离法和液浸消除法，突破了薄 硅片精确定位、激光位移测量结果修正等关键技术，研制出大尺寸薄硅片变形 测量设备（精度±1.7μm ）。 （4 ）发明了恒速进给磨削和控制力磨削相结合的高效低损伤磨削加工方法 和加工过程控制策略，发明了多轴系磨床磨削硅片面型的控制策略和调整装置， 突破了磨削力在线测量与控制、微量进给、多轴系磨床磨削硅片面型的控制、 高精度气浮电主轴制造等关键技术，研制出国内首台300mm 硅片双主轴三工位 全自动超精密磨床和国际首台300mm 硅片双主轴两工位多功能超精密磨床。 开发的超精密磨削工艺、砂轮和磨床的技术指标达到国外同类产品的先进 水平，已应用于首条国产 300