180纳米工艺嵌入式每单元存储双比特数据的闪存程序存储器设计.doc

上海交通大学 学位论文原创性声明 本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下，独 立进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外，本论文 不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。对本文的研 究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全 意识到本声明的法律结果由本人承担。 学位论文作者签名：李 强 日期：2006 年 9 月 23 日 上海交通大学 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定， 同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允 许论文被查阅和借阅。本人授权上海交通大学可以将本学位论文的全部 或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复 制手段保存和汇编本学位论文。 保密□，在 年解密后适用本授权书。 本学位论文属于 不保密□。 （请在以上方框内打“√”） 学位论文作者签名：李强指导教师签名：李 翔 日期：2006 年 9 月 23 日 日期：2006 年 9 月 23 日 申请上海交通大学工程硕士论文 第一章 绪论 1 引言 最早出现于 20 世纪60 年代的半导体存储器件现如今在半导体器件市场占有相 当大的比重，它们被广泛的应用于计算机、通讯、交通、航天等领域。众所周知， 几乎在每个电子系统里，都会有一些信息需要被永久储存，换而言之，也就是这些 信息必须在电源断开的情况下仍能得到保持，所以通常所说的非挥发性存储器应运 而生。Flash Memory（快闪存储器[1]）作为现如今最成熟的非挥发性半导体存储器 已成为应用最广泛的存储器之一。它以其独特的优点在存储器市场中占据一席之 地。 随着半导体工艺水平的提高，最小线宽从一开始的数十微米已发展到现在的 微米左右。可以预计半导体存储器的发展将越来越迅速，主要体现在以下几个 方面：大容量，高速度，低功耗。 2 半导体存储器件的分类 半导体存储器的类型很多，有很多种划分方式。根据存储器读取数据的方式可 分为顺序存储器和随机存储器两大类[5]，通常所说的磁带、VCD、DVD 等都属于顺 序存储器，读取必须按照一定的顺序，而 SRAM 、DRAM 属于随机存储器，可以 任意的读、写数据。一般来讲，顺序存储器存储大容量的数据，而随机存储器多用 在对速度要求较高的电路中。根据存储器所用的材料又可分为磁性存储器、光电存 储器和固态存储器。PC 中的硬盘、软盘都属于磁性存储器， DVD、VCD 属于光电 存储器，固态存储器就是利用 NMOS、CMOS 等电路来存数据， DRAM、SRAM、 FLASH 就属于固态存储器。近几年来又涌现出一种铁电存储器（FRAM），利用自 由原子只有两个稳定状态来存储数据。 在半导体业界，半导体存储器一般指的是固态存储器。它又可划分为两类：一 类为挥发性存储器，另一类为非挥发性存储器。挥发性存储器使用有源器件，存储 的信息掉电后会消失；但它可以同时提供读、写功能和有可比性的读、写时间，因 此它是最灵活的一种存储器。静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储 器（DRAM）都属于挥发性存储器，但它们存储原理不同。其中，SRAM 是利用一 个带正反馈的触发器来存储数据信息的，而 DRAM 是利用电容上的电荷来存储数 1 申请上海交通大学工程硕士论文 据信息的，由于电容存在一个电荷泄放的问题，所以对于 DRAM 需定时刷新以弥 补被泄放的电荷，从而使存储的信息不被破坏，所以称之为动态 RAM。 非挥发性存储器的存储信息掉电后仍然存在，所以称这一类存储器为非挥发性 存储器，它主要被用于计算机、航空、远程通讯和消费类电子产品中，用来存储程 序和微代码。非挥发性存储器中所存储的数据信息可以是永久不变的（理论上）， 或者是可编程的，这取决于存储器件的结构。它主要包括两大类存储器：一类是只 读存储器（ROM），另一类为 Flash。在 ROM 中，又可分为掩模式ROM （Mask ROM）、可一次编程 ROM（PROM）、可擦除可编程 ROM （EPROM）（这一类 是 指 用 极 紫 外 光 进 行 擦 出 的 那 一 类 EPROM ） 和 电 可 擦 除 可 编 程 ROM （E2PROM）。Flash 的全称是 Flash E2PROM，虽说它也属于电可擦除可编程 ROM 一类，但由于它近几年发展非常迅速且引人注目，所以一般都把它单独归为一类。 上述的划分可由图1.1 表示[6]。 图1. 1 存储器的分类图 Figure 1.1 The class chart of memory 3 几种常见的半导体存储器件 挥发性存储器 (1) DRAM (动态随机存取存储器) 优点：高密度和每位的低成本是 DRAM 最主要的优点，它是产量