低气压管式放电等离子体及制备非晶氮化硅薄膜研究-凝聚态物理专业论文.pdf.docxVIP

大连理工大学学位论文独创性声明作者郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下进行研究工作所取得的 大连理工大学学位论文独创性声明 作者郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下进行研究工作所取得的 成果。尽我所知，除文中已经注明引用内容和致谢的地方外，本论文不包含其他个人或 集体己经发表的研究成果，也不包含其他已申请学位或其他用途使用过的成果。与我一 同工作的同志对本研究所做的贡献均己在论文中做了明确的说明并表示了谢意。 若有不实之处，本人愿意承担相关法律责任。 学位论文题目： 低氢压笪式丝电笠盛王签丛剑备韭晶氢丝硅堕照班筮 作者签名：须瘗!投 日期：21z年-一厶月-上￡日 大连理工大学学位论文版权使用授权书 本人完全了解学校有关学位论文知识产权的规定，在校攻读学位期间论文工作的知 识产权属于大连理工大学，允许论文被查阅和借阅。学校有权保留论文并向国家有关部 门或机构送交论文的复印件和电子版，可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数 据库进行检索，可以采用影印、缩印、或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。 作者签名： 日期： 21 1』年—厶月上￡日 导师签名： 日期：4年丘月臣日 ， 答辩委员会主席 日期：．2里f亚年—丘月』∑日 万方数据 大连理工大学博士学位论文摘 大连理工大学博士学位论文 摘 要 低温等离子体技术是材料改性和薄膜合成的重要手段之一，受到各国学者的广泛关 注。一种新型等离子体放电技术的出现往往会推动材料改性和薄膜合成技术发生革命性 改变。近年来受到广泛关注的大气压射流等离子体放电可以产生高活性的等离子体，已 经在材料合成、材料表面改性、医疗器械杀菌等方面显示出良好的应用前景。在薄膜合 成方面，大气压射流等离子体技术可以实现室温下的等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)，但所制备的薄膜质量无法满足实际应用的要求。本论文主要讨论了一种类似 于大气压射流等离子体的低气压管式放电技术，进而发展出一种基于低气压管式放电的 PECVD技术。利用这种新型PECVD装置，成功实现了非晶氮化硅∞．SiN；：H)薄膜在室 温条件下的高速率沉积，并制备出一种新型的量子点薄膜——口．SiN；：H量子点薄膜。本 论文的主要研究内容如下： (一1低气压管式放电技术研究：设计了一种低频(20～80 kI-iz)驱动的低气压管式放电 等离子体产生装置，实现N2、02、～等多种气体在低气压(0．1～200 Pa)条件下的稳定放 电。研究结果表明，这种管式放电等离子体不同于常规的低气压放电等离子体，存在截 然不同的两个放电状态，分别为G放电模式和sP放电模式。G放电模式产生的等离子 体主要约束在管内的电极附近，等离子体辉光区随放电功率的增加而逐渐扩大；当放电 功率增加到某一临界值时，G放电模式立即转变为SP放电模式，同时，等离子体辉光 区拓展到放电管之外，形成等离子体羽辉。等离子体放电特性分析显示，G模式属于容 性放电，而SP模式属于阻性放电，并伴有周期性强放电脉冲的产生，瞬时脉冲放电功 率高达l kW以上，这与电源放电功率、气压、气体种类有关。在12 Pa的N2环境下， 1 15W驱动的SP放电可以使等离子体羽辉中的等离子体密度高达O．5x1012cm-3，放电电 流密度高达27 A／cm-2。在此基础上，进一步探讨了这种新型低气压等离子体技术在等 离子体刻蚀、等离子体氮化、等离子体辅助脉冲激光沉积等方面的应用。 (二1低气压管式放电氮等离子体研究：在最小二乘优化理论的基础上，设计了一套 针对N2分子第二正带发射光谱的拟合软件，具有操作简单、分析速度快、拟合精度高、 无需对原始光谱进行预处理等特点。该软件完全消除了等离子体光谱拟合过程中的人为 因素，并可以满足海量等离子体光谱数据的高效处理。在此光谱拟合软件的基础上，分 析了氮等离子体放电过程中，N2分子的转动温度、振动温度随放电功率的变化，研究了 N2分子的转动温度、振动温度在等离子体放电管中的空间分布。研究结果进一步证明了 G放电和SP放电分属于两种不同的等离子体放电模式。在G放电模式中，N2分子的转 动温度略高于室温(320 K)，且基本不随放电功率显著变化，而振动温度却随放电功率的 万方数据 低气压管式放电等离子体及制备非晶氮化硅薄膜研究增加逐渐增大，但一般小于3500 低气压管式放电等离子体及制备非晶氮化硅薄膜研究 增加逐渐增大，但一般小于3500 K。当放电转变到SP放电模式时，N2分子的振动温度 骤升至5000 K左右，但随放电功率的增加而有所下降，而转动温度却随放电功率的增 加逐渐增大至～700 K。此外，利用位于746．83、821．63和868．03 hill的三条N原子线(对 应于N原子的4s；，：一4 P5，2、 4聪：一4