单片集成二维磁传感器研究-微电子学与固体电子学专业论文.pdf.docxVIP

分类号 分类号 一 U D c． ．．．． 密级 一公 五 ～ |哦≯声哮 硕士研究生学位论文 Sgr集成二维磁传感器研究 申请人： 吕美薇 学 号： 2121298 培养单位： 电子工程学院 学科专业： 微电子学与固体电子学 研究方向： 传感器MEMS 指导教师： 赵晓锋教授 完成日期： 2015年5月lo日 万方数据 中文摘要本文基于立体结构硅磁敏三极管，构建由四个硅磁敏三极管(SMSTI、SMST2、 中文摘要 本文基于立体结构硅磁敏三极管，构建由四个硅磁敏三极管(SMSTI、SMST2、 SMST3和SMST4)和四个负载电阻僻Ll、RL2、RL3和RL4)构成的单片集成二维磁传 感器，该传感器包括四个基极(B1、B2、B3、B4)、四个集电极(CI、C2、C3、c4)和 四个发射极①l、E2、E3、E4)。通过分析硅磁敏三极管工作原理，给出单片集成二 维磁传感器工作原理，理论分析给出，该单片集成二维磁传感器能够实现二维磁 场检测。在此基础上，采用ATLAS软件构建单片集成二维磁传感器仿真结构模型， 研究基区长度三、基区宽度W和集电结面积等因素对单片集成二维磁传感器 尼一％E特性和磁特性影响，完成结构尺寸优化。 在此基础上，本文采用MEMS技术在P型100晶向高阻单晶硅衬底上实现 单片集成二维磁传感器芯片设计、制作和封装。室温条件下，对封装完成的单片 集成二维磁传感器进行七一％E特性和磁特性测试，并进行静态特性标定。实验结 果给出，在lcE和尽相同条件下，基区长度L=140 p．m的单片集成二维磁传感器四 个硅磁敏三极管电压磁灵敏度与电流磁灵敏度要高于基区长度L=I 80岬的单片 集成二维磁传感器。当VCE=5．0 V、厄_4．0 mA时，单片集成二维磁传感器(L=140 1．tm)中沿x轴方向两个硅磁敏三极管(SMSTl和SMST3)具有相反磁敏感方向，磁 灵敏度分别为114．6 mV／T和108．3 mV／T，沿Y轴方向两个硅磁敏三极管(SMST2 和SMST4)具有相反磁敏感方向，磁灵敏度分别为1 06．4 mV／T和11 1．4 mV／T，同 时在匀强磁场中研究单片集成二维磁传感器沿Z轴旋转时的磁特性，结果给出单 片集成二维磁传感器工轴、Y轴差分输出电压分别随旋转角度发生变化，可检N-- 维磁场。研究结果表明，该单片集成二维磁传感器中四个硅磁敏三极管磁灵敏度 较高且一致性较好，可较好实现平面二维磁场的测量。 关键词：单片集成化二维磁传感器；立体结构硅磁敏三极管：MEMS技术；差分 结构 万方数据 黑龙江大学硕士学位论文Abstract 黑龙江大学硕士学位论文 Abstract In this paper,on the basis of the cubic structure silicon magnetic sensitivity transistor,the basic structure of the monolithic integration two—dimensional magnetic field sensor which constructed by four silicon magnetic sensitivity transistors(SMSTl， SMST2，SMST3 and SMST4)and four load resistances(RLl，RE2，RL3 and RIA)was given，and it included four bases(B z，B2，Bs and 84)，four collectors(131，B2，B3 and C4) and four emitters(El，E2，E3 and E4)．By analyzing the working principle of the silicon magnetic sensitivity transistor,this paper gave the working principle of the monolithic integration two—dimensional magnetic field sensor,the theoretical analysis showed that the monolithic integration two-dimensional magnetic field sensor can detect two- dimensional magnetic field．On this basis，the ATLAS software was used to establish the simulation structure model，and study the imp