基于单幅SEM图像的三维重建技术-计算机应用技术专业论文.docxVIP

优秀毕业论文 精品参考文献资料 摘要摘要 摘要 摘要 为了解决定性的观察手段带给新型黑硅微纳加工工艺开发的桎梏；为了给 新型微纳加工工艺提供有效的定量的验证手段；为了给进一步研究微纳加工技 术新理论，建立集成微纳制造技术的理论分析方法提供研究准确的素材：为了 开发新的可视化的微纳集成制造技术计算机辅助设计工具；为了给研究黑硅新 型微纳结构的应用提供必要的支持。本文提出了基于黑硅刻蚀机理的黑硅表面 三维重建方法和基于扫描电子显微镜成像原理黑硅表面三维重建方法。 基于刻蚀机理的黑硅表面三维重建方法首先是在仔细研究了黑硅表面刻蚀 机理的基础上完成了对黑硅刻蚀过程的建模。根据模型和适当的假设，利用单 幅黑硅表面侧视图的SEM图像对黑硅表面的形貌进行三维重建。本文分别使用 Open Inventor对黑硅表面的重建结果进行了显示并分析了两种显示方式的优缺 点和适用范围。 针对刻蚀机理的黑硅表面三维重建方法存在的一些不足，本文又提出了基 于扫描电镜成像原理的黑硅表面三维重建方法。利用这一方法研究人员第一次 在三维重建结果中观察到了黑硅底部平缓的坡度变化，更加符合实际情况。同 时本文还分析了两种方法的特点和适用范围。 最后，本文使用统计学假设检验的方法和版图转换的方法对两种重建技术 进行了验证。假设验证的结果表明重建的结果能够同时反映黑硅柱的几何信息 和黑硅表面的形貌特征。版图转换将重建结果转换成为DXF格式的版图文件， 可以与刻蚀仿真结果和原始版图作对比相互验证。还可以使用这一通用的版图 文件利用一些仿真软件研究黑硅表面的物理性质这样就可以大大加速对黑硅表 面微结构应用的研究进程。 关键字：三维重建，微机电系统(MEMS)，扫描电子显微镜(SEM)，黑 硅表面微器件 AbstractAbstract Abstract Abstract For shaking off the shackles which is brought by qualitative observation methods to develop the new processing technology of MEMS (Micro··Electro··Mechanical Systems)on black silicon surface；For providing an quantitative validation methods for the new processing technology of MEMS；For providing research material for the research on new MSME processing technology theory and establishing a new analysis method of MSME manufacturing technology； For developing new visual computer aided design tools for MEMS integrated manufacturing technology；For providing the necessary support for the application research on new MEM．S on black silicon，this paper provide two 3D reconstruction methods of the MEMS on black silicon． One of the methods modeling the deep reactive ion etching(DRIE)on black silicon surface．According to the model and some appropriate assumptions，the method use a signal side view image black silicon surface image to make 3D reconstruction for black silicon surface．Then this paper use and Open Inventor two methods to display the 3D reconstruction result，and analyze the characteristics and scope of the two display． To solve the shortcomings of the first method，this paper proposed the other method．T