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聚酰亚胺基热敏元件制备与性能研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

聚酰亚胺基热敏元件制备与性能研究-微电子学与固体电子学专业论文.docx

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聚酰亚胺基热敏元件制备与性能研究-微电子学与固体电子学专业论文

优秀毕业论文 精品参考文献资料 Abstractprocess Abstract process does not affect the normal work of the battery.Finally,the paper introduced the measurement and circuit design of thermal sensor based on polyimide,we used bridge compensation method to realize the cold junction compensation of thermocouple.The bridge compensation method is based on the voltage produced by the unbalanced bridge. We chose 89C5 1 as the microprocessor,ICL7 1 09 as A/D converter,OP07 chip as operational amplifier,555 chip as the timer,realize the signal amplification, transformation and display. Key Words:temperature sensor based on polyimide;thermocouple;electron beam evaporation;ANSYS ..111.- 万方数据 黑龙江大学硕士学位论文目 黑龙江大学硕士学位论文 目 录 中文摘要 I Abstraot II 第1章绪论 .1 1.1薄膜热电偶温度传感器技术简介 一1 1.1.1薄膜热电偶温度传感器工作原理 .1 1.1.2薄膜热电偶温度传感器的关键技术 .3 1.2薄膜热电偶温度传感器的发展趋势 ..3 1.3本论文研究的目的及开展的工作 ..4 1.4本章小结 5 第2章聚酰亚胺材料概述 6 2.1聚酰亚胺材料研究的背景和意义 一6 2.2聚酰亚胺制各方法 7 2.3聚酰亚胺的特性 8 2.4聚酰亚胺在薄膜热电偶传感器中的应用 一9 2.5本章小结 ..10 第3章聚酰亚胺基热敏元件制备工艺及材料表征 11 3.1聚酰亚胺基温度传感器的基本结构 ll 3.3聚酰亚胺基温度传感器的制备及材料表征 12 3.3.1薄膜制备技术 12 3.3.2薄膜表征技术 l 6 3.4本章小结 一20 第4章聚酰亚胺基温度传感器性能模拟 ..2 1 4.1 Ansys Workbench软件简介 2 1 4.2聚酰亚胺基温度传感器特性仿真 .2 1 4.2.1聚酰亚胺基热敏元件热学仿真分析 2l 万方数据 目录4 目录 4.2.2聚酰亚胺基热敏元件热电特性仿真 29 4.3本章小结 一41 第5章聚酰亚胺基热敏元件的性能研究 42 5.1薄膜热电偶的标定 一42 5.1.1薄膜热电偶的标定原理 .42 5.1.2薄膜热电偶的冷端补偿 .43 5.2聚酰亚胺基热电偶温度传感器的性能测试 44 5.2.1聚酰亚胺基热电偶温度传感器的标定 44 5.2.2线性度 .47 5.2.3迟滞 .48 5.2.4稳定性 .49 5.2.5灵敏度 .50 5.3聚酰亚胺基温度传感器测温实验 .5 1 5.4本章小结 52 第6章后续电路的设计研究 ..54 6.1冷端补偿电路的设计 一54 6.2后续测控电路设计 一55 6.2.1单片机芯片的选择 .55 6.2.2 AiD转换芯片的选择 .55 6.2.3运算放大器芯片的选择 .56 6.2.4定时器芯片的选择 .57 6.3本章小结 58 结论 59 参考文献 60 致谢 66 攻读学位期间发表论文 67 附录后续电路 .68 万方数据 黑龙江大学硕士学位论文独创性声明 黑龙江大学硕士学位论文 独创性声明 69 万方数据 第1 第1章绪论 第1章绪论 1.1薄膜热电儡温度传感器技术简介 温度传感器一种能感知温度并转换成可用信号输出的传感器,它不仅可以应 用于热行为的分析,还可根据热传导、热对流和热辐射这些物理参数对热传递过 程的影响,可用于测量物体之间的距离、媒介的运动速度、材料和媒介的性质【l,2】。 按照传感器材料及电子元件特性分为热电式、热阻式和PN结式,其中热电式的热 敏元件是热电偶,热阻式的热敏元件是金属热电阻或半导体陶瓷热敏电阻,PN结 式的热敏元件是热敏二极管、热敏三极管和集成温度传感器。 1.1.1薄膜热电儡温度传感器工作原理 当有两种不同的导体或半导体A和B组成一个回路时,在两端连接处电子密 度大的金属的自由电子会向电子密度小的导体扩散。电子密度大的金属因失电子 而带正电,电子密

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