聚合物光电器件中金属聚合物界面结构及性质的研究-同步辐射及应用专业论文.docxVIP

优秀毕业论文 精品参考文献资料 中国科学技术大学学位论文原创性声明本人声明所呈交的学位论文，是本人在导师指导下进行研究工作所取得的成 中国科学技术大学学位论文原创性声明 本人声明所呈交的学位论文，是本人在导师指导下进行研究工作所取得的成 果。除已特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含任何他人已经发表或撰写 的说明。作者签名：猢． 过的研究成果。与我一同工作的同志对本研究所做的贡献均己在论文中作了明确 签字日期： 中国科学技术大学学位论文授权使用声明 作为申请学位的条件之一，学位论文著作权拥有者授权中国科学技术大学拥 有学位论文的部分使用权，即：学校有权按有关规定向国家有关部门或机构送交 论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅，可以将学位论文编入《中国学 位论文全文数据库》等有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制 手段保存、汇编学位论文。本人提交的电子文档的内容和纸质论文的内容相一致。 保密的学位论文在解密后也遵守此规定。 k么开 口保密(——年) 作者签名：主丕当 导师虢 签字日期： 磁笪习争切 签字日期： 盈!s：色， 丝 万方数据 摘要摘要 摘要 摘要 共轭聚合物不仅容易溶解于有机溶剂并在衬底上制备大面积的聚合物薄膜， 而且具有制备工艺简单、价格低廉、质量轻、导电性能好等一系列优点。近年来， 基于共轭聚合物的太阳能电池和发光二极管等光电器件获得科学家和企业界的 广泛关注，其各项性能不断得到提高，并逐渐接近或达到市场推广的要求。通常 在制各实际器件时，通过热沉积法在聚合物薄膜上沉积金属电极，金属向聚合物 内部扩散的过程中，与聚合物发生相互作用并导致其化学与电子结构产生变化， 从而对器件性能产生显著的影响。研究发现，界面结构对实际器件的性能及其使 用寿命会产生显著的作用，尤其是其中的金属／聚合物、聚合物／聚合物界面，因 此对有关界面结构进行精确调控是提高器件性能的关键。 为了提高聚合物太阳能电池和发光二极管的各项性能，使其满足商业化推广 的需求，人们不断尝试着使用多种表面灵敏的分析手段对金属／聚合物、聚合物／ 聚合物界面进行原位研究，旨在构建合适的界面模型，从而解释有关界面性质与 实际器件性能之问的内在联系，为研发高性能器件提供理论支持。 基于以上研究背景，本论文从聚合物太阳能电池和发光二极管的金属／聚合 物界面、聚合物／聚合物界面入手，通过借助常规X射线光电子能谱(XPS)、同 步辐射光电子能谱(SRPES)、近边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)和原子 力学显微镜(AFM)等分析手段对有关界面形成过程中的化学与电子结构变化、 界面偶极电场取向进行研究，并且分析了聚合物表面粗糙度、富集组分、分子取 向等重要性质，进而构建了一种有助于研究金属／共混聚合物界面的模型结构。 这些研究结果为进一步提高实际器件的性能具有实际指导意义。本论文的所开展 的研究工作主要包括以下三个方面： (I)选择在有机光电器件中广泛应用的F8BT为研究对象，综合运用AFM、 SRPES、变角度全电子产额和部分电子产额的NEXAFS等表面分析技术，系统 地研究了不同退火温度对F8BT薄膜形貌的影响、F8BT的分子取向和Al在F8BT 表面沉积后界面的化学反应以及对F8BT电子能级结构的影响等问题。结果显示， 在略低于玻璃转化温度的条件下对FgBT进行退火，会增加其表面粗糙度。清洁 F8BT薄膜经过70。C退火后F8BT共轭结构与衬底之间的平均夹角为49。，而且 9,9一辛基芴单元(F8)与苯噻唑单元(BT)几乎在同一平面上。F8BT表面沉积 了不同厚度的Al后，Al与F8BT中的C、N、S均发生了不同程度的化学反应， 价带谱中并没有出现常见的带隙态，不过峰型发生了很大的变化，这也是由界面 化学反应所造成的。金属Al在表面上的沉积还导致F8BT的能带向下弯曲，在 万方数据 摘要降低 摘要 降低F8BT的功函数的同时，还改变了F8BT未占据分子轨道的态密度，LUMO 轨道会被部分占据。 (II)不同的金属与聚合物所形成的界面通常不同的性质。我们借助XPS、 SRPES和NEXAFS等研究手段研究了Ca／F8BT界面形成过程中化学和电子结构 变化情况。研究结果显示，不同于Al／F8BT界面，Ca与F8BT中的c、N、S原 子均发生强烈的化学反应。综合C ls、N ls、S 2p等XPS谱的变化情况，可获 得Ca与BT单元之间化学反应模型。C和N的K边吸收精细结构谱显示，Ca对 F8BT进行n型掺杂，引起能带向下弯曲，还导致部分未占据分子轨道被掺杂的 电子所占据。当Ca的沉积厚度介于1．0—2．5 A之问时，Ca／F8BT界面上产生一个 电场方向从F8BT指向Ca的界面偶极，该界面偶极在2．O A≤eca2．5 A时存在 最大