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第二章 运算放大器 2.1 集成电路运算放大器 2.1.1答；通常由输入级，中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以 提高整个电路的性能。中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。输出 级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。 2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即Vvo 很大，直线几乎成垂直直线。非线性区由两条水平线组成，此时的Vo达到极值，等于V+或 者V-。理想情况下输出电压+Vom=V+,-Vom=V-。 2.1.3答：集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环 电压增益Avo约为10^6欧姆。 2.2 理想运算放大器 2.2.1答：将集成运放的参数理想化的条件是：1.输入电阻很高，接近无穷大。2.输出电阻 很小，接近零。3.运放的开环电压增益很大。 2.2.2答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。 2.3 基本线性运放电路 2.3.1答:1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使Vn 自动的跟从Vp，使Vp≈Vn， 或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。 2.由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经 两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。 3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端，R2跨接在运放的输出端和反相端之间，同相 端接地。由虚短的概念可知，Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。 虚短和虚地概念的不同：虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于 零，而虚地Vp,Vn接近是零。 2.3.2答：由于净输入电压Vid=Vi-Vf=Vp-Vm,由于是正相端输入，所以Vo为正值，Vo等于 R1和R2 的电压之和，所以有了负反馈电阻后，Vn增大了，Vp不变，所以Vid变小了，Vo 变小了，电压增益Av=Vo/Vi变小了。 由上述电路的负反馈作用，可知Vp≈Vn,也即虚短。由于虚地是由于一端接地，而且存在负 反馈，所以才有Vp≈Vn=0. 2.3.3答：同相放大电路：1.存在虚短和虚断现象。 2.增益Av=Vo/Vi=1+R2/R1,电压增益 总是大于1，至少等于1。 3.输入电阻接近无穷大，出电阻接近于零。 反相放大电路：1.存在虚地现象。 2.电压增益Av=Vo/Vi=-R2/R1,即输出电压与输入电压 反相。 3.输入电阻Ri=Vi/I1=R1.输出电压趋向无穷大。 电路的不同：1.参考P28和P32 的两个图。 2.根据上述各自的特征即可得出它们的区别。 2.3.4 参考书本图下面的分析和上述的特点区别。 2.3.5 答：电路的电压增益约为 1，在电路中常作为阻抗变化器或缓冲器。 2.4 同相输入和反反相输入放大电路的其他应用 2.4.1各个图参考 P34-P41,各个电路的输出电压和输入电压的关系参考图下的 析。 2.4.2 第三章 二极管 3.2.1答：空间电荷区是由施主离子，受主离子构成的。因为在这个区域内，多数载流子已 扩散到对方并复合掉了，或者说耗尽了，因此有称耗尽区。扩散使空间电荷区加宽，电场加 强，对多数载流子扩散的阻力增大，但使少数载流子的漂移增强；而漂移使空间电荷区变窄， 电场减弱，又使扩散容易进行，故空间电荷区也称为势垒区。 3.2.2答：使PN结外加电压VF 的正端接P区，负端接N区，外加电场与PN结内电场方向 相反，此时PN 出于正向偏置。 3.2.3答：增加。因为在外加反向电压产生的电场作用下，P区中的空穴和N 区中的电子都 将进一步离开PN结，使耗尽区厚度增加。 3.2.4答：只有在外加电压是才能显示出来。 3.2.5答：P67页。 3.3.1答：P71页 3.3.2 3.3.4答：P71页 3.3.5答：P71页 3.4.1答：P73页 3.4.2答：P74，76页 3.4.3答：P83页 第四章 4.1.1 不可以，因为BJT有集电区、基区和发射区。 4.1.2 不行。内部结构不同。 4.1.3 必须保证发射结正偏，集电结反偏。 反偏，都正偏。 4.1.4 发射区向基区扩散载流子，形成发射极电流IE。 IE=IEN+IEP,IC=ICN+ICBO 4.1.5 （p106) 第一问没有找到；BJT输入电流Ic （或IE）正比于输入电流IE(或Ib)。如果能控 制输入电流，就能控制输出电流，所以常将BJT成称为电流控制器件。 第四章 4.