等离子体浸没离子注入方法制备p型zno薄膜材料的研究-原子与分子物理专业论文.pdf.docxVIP

摘要摘要 摘要 摘要 ZnO在光电子等领域有着广阔应用前景，具有巨大的市场潜力，已经成为继 GaN之后光电子领域的又一研究热点，引起了世界各国科研界和光电产业界的高 度重视。然而，制各可重复的、稳定的、低电阻的、器件级P型ZnO材料是ZnO 研究中面临的主要挑战。本论文介绍了一种新型的P型ZnO薄膜制备技术一一采 用等离子体浸没离子注入(PIII)与共掺相结合的技术制备P型ZnO薄膜。首先 通过磁控溅射技术生长掺Al的n型ZnO薄膜(AZO)，将获得的AZO薄膜置于PII工 腔体内的样品台上，腔体抽真空。之后，在腔体中通入含N的工作气体，使用 600W射频源产生面均匀、大体积感应耦合等离子体。等离子体的参数通过朗缪 尔双探针、多通道光谱仪等设备来进行诊断。样品台偏压源是10kW固态开关电 路的快上升沿(10娟S)高压脉冲电源，脉宽和频率可调，可给衬底加载最高达 65kV的负偏压。如此高的负偏压在注入时可以有效地打断原有组织结构而重新 成键，有效的将N融入AZO薄膜中，得到N-A1共掺的ZnO，加之离子轰击引起 的热辐射扩散作用，粒子的注入深度能达到几百纳米，且注入成分密度分布可以 通过调节离子能量即负偏压大小来控制。再通过控制退火气氛、温度等，进一步 活化己注入的N元素，改善注入后薄膜的结晶情况与P型改性情况。使用这种方 法，我们得到了呈现出P型特性的ZnO薄膜。 我们对使用上述方法制备得到的ZnO薄膜进行了电学、光学、形貌等各方面 的表征，分析了ZnO薄膜的P型改性机理以及各实验因素(包括注入气氛、注入 剂量、退火温度和薄膜中Al含量)对PI工工方法实现ZnO薄膜P型改性的影响： (i)ZnO薄膜能否实现P型改性关键是由薄膜中的缺陷决定的，当受主杂质 占主导时，样品就会呈现出P型导电特性，而反之当施主杂质占主导时，样品就 会呈现出n型。通过改变注入时的气体氛围，我们可以改变注入的N元素在ZnO 薄膜中的缺陷形式。由于N。是受主杂质而(N。)。是施主杂质，所以注入气体等离 子体中要提供丰富的N+而非N。+才能使得ZnO薄膜中形成足够的受主缺陷。在注 入气体为25％NO+75％0。的混合气体情况下，等离子体主要离子成分中的N+占 多数，N+在注入退火后能占据氧空位来有效的提供空穴载流子，有助于ZnO薄膜 的P型改性。而在其它情况(如纯N：，纯NO)下，等离子体中具有施主特性的 N：+远多于N+，因此抑制了ZnO薄膜的P型改性。 (ii)在以注入气体为25％NO+75％O。的混合气体情况下，我们研究了N+ 注入剂量对ZnO：(A1，N)薄膜P型改性的影响。过多或过少的注入剂量都无法实 摘要现ZnO薄膜的P型改性。N在注入AZO薄膜样品的过程中，首先是占据0空位， 摘要 现ZnO薄膜的P型改性。N在注入AZO薄膜样品的过程中，首先是占据0空位， 到达极限后又会直接替换0分别与Zn和A1成键。过少的注入剂量还无法完全补 偿AZO薄膜中的本征缺陷和施主杂质缺陷，而过量的注入剂量则会引入新的缺陷。 (iii)退火处理是ZnO薄膜P型改性的重要一环。只有当退火温度超过一 定的阈值时(在本论文实验中为850。C)时才能出现ZnO薄膜的p型反转。这是 因为在退火前，注入的N原子多以问隙形式存在，并不对P型导电作出任何贡献； 而当达到一定的退火温度时，N原子会去补偿0空位，从而贡献出空穴载流子。 (iv)AZO薄膜中的Al含量也会影响ZnO薄膜中的缺陷组成，而进一步影响 其电学特性。当Al含量较少时，没有足够的A1与注入的N成键，薄膜中的N 溶解度低，无法实现ZnO薄膜的P型反转；而过多的Al含量则会引起大量的施 主杂质，抑制ZnO薄膜的p型转变。只有适量的Al含量才能有效增强施主一受主 共掺杂的效果，促进N受主的掺杂，使更多的N溶解到了ZnO薄膜中。 关键词：等离子体浸没离子注入，P型ZnO，共掺，光电子材料 中图分类号：053；047；048 AbstractAbstract Abstract Abstract A new hot spot in the field of optoelectronics，zinc oxide(ZnO)，has numerous application prospects and enormoUS potential market，to which world—wide science and technology groups aRach great importance．However，the main challenge during the research of ZnO is to fabricate repeated，steady and device-level p-type ZnO of low