基于酸乳体系csd快速制备cdbio3缓冲层的工艺及其机理研究-材料学专业论文.docxVIP

优秀毕业论文 精品参考文献资料 研究生优秀毕业论文 西南交通大学学位论文版权使用授权书 西南交通大学 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留并 向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授 权西南交通大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以 采用影印、缩微或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。 本学位论文属于： 1．保密口，在——年解密后使用本授权书； 2．不保密∥使用本授权书。 学位论文作者签名：J习．滴 指导教师签名： 日期：pfs．5，，7 日期： pts．s．哆 万方数据 西南交通大学硕士学位论文主要工作( 西南交通大学硕士学位论文主要工作(贡献)声明 本人在学位论文中所做的主要工作或贡献如下： (1)成功将基于乳酸体系的快速制备法应用于GdBi03缓冲层制备上，将传统方 法制备GdBi03方法的十几个小时的制备周期缩短到两小时以内，可以为低成本连续制 各提供参考。 (2)较为细致的研究了快速制备的各个流程的工艺问题，对胶体浓度的选择，旋 涂转速选择，挥发工艺，以及快速分解等均经分析提供了可行的解决方案。 (3)分析了薄膜外延成相机理问题，对外延温度、气氛和时间进行了探讨，分析 了其中的机理，并结合机理提出一种可能改进外延的成相工艺。 本人郑重声明：所呈交的学位论文，是在导师指导下独立进行研究工作所得的成 果。除文中已经注明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰 写过的研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集体，均己在文中作了明确说明。 本人完全了解违反上述声明所引起的一切法律责任将由本人承担。 学位论文作者签名：／习；匈 日期：7／,t年月，夕日 万方数据 西南交通大学硕士学位论文 西南交通大学硕士学位论文 第1页 摘要 随着近年来涂层导体产业化的需求，涂层导体低成本连续制备的研究显得尤为关 键。本论文以低成本快速制备为出发点，采用基于廉价的乳酸体系的CSD(化学溶液 沉积)快速制备进行GdBi03(GBO)缓冲层在YSZ(钇稳定氧化锆)单晶片上的制备工 艺和外延成相机理进行研究。 本论文首先对基于乳酸体系的快速制备的工艺进行了分析讨论，从胶体浓度的选 择上，按照薄膜平整度和厚度的需求，得出在浓度较低的情况下可能导致薄膜出现缺 陷、不稳定，较高浓度O．7mol／L下可以得到质量稳定的薄膜而比较适合。在涂覆过程 中，分析了涂覆时的环境温度和湿度的影响，并提供了一个可供选择旋涂转速的经验 图表。在挥发阶段详细地研究了乳酸的挥发，根据实验结果得出在从110℃到乳酸沸点 之间的温度均比较适合挥发。分解过程中分析了两步法中存在的薄膜缺陷问题，分析 其成因，并通过合理控制升温得到了平整致密的薄膜。 着重分析了GdBi03薄膜外延成相的工艺和机理，并在外延的GdBi03上成功生长 了起始转变温度为90K的YBCO。分析了温度和气氛对外延的影响和峰强随时间的变 化。结果表明在空气和灯气中均出现两个更适合的外延区间，分析认为这是由于形核 与生长之间的竞争引起的。对比空气中和Ar气中的成相温度，舡中的可外延温度比 空气中的偏低，分析并认为心气中的热力学与动力学状态相比于空气中的向低温移动 使得～中的外延成相温度偏低。分析了外延时间不同的峰强变化，得出在高温下初期 会外延出很多细小晶粒。根据以上的分析提出可以在高温下进行诱导形核在相对较低 的温度下继续生长和再结晶的方案，并在825。C保温2min随炉降温到800。C保温l h中 得到了较好的外延结果。 关键词：快速制备；GdBi03：缓冲层：化学溶液沉积 万方数据 西南交通大学硕士学位论文 西南交通大学硕士学位论文 第1 I页 Abstract It is particularly critical for the research ofthe low-cost continuous production ofcoated conductors as the requirement of the industrialization for the coated conductors these years． In this thesis，the preparation process and mechanism of phase epimxy of a CSD(chemical solution deposition)quick preparation method based on lactic-acid for the preparation of GdBi03(GBO)buffer layer on YSZ(Yttria—stabilized zi