基于纳米材料的透明柔性电极在oled器件中的应用研究-仪器仪表工程专业论文.docxVIP

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基于纳米材料的透明柔性电极在oled器件中的应用研究-仪器仪表工程专业论文

优秀毕业论文 精品参考文献资料 合肥工业大学本论文经答辩委员会全体委员审查,确认符合合肥工业 合肥工业大学 本论文经答辩委员会全体委员审查,确认符合合肥工业 大学硕士学位论文质量要求。 答辩委员会签名(工作单位、职称) 主 席合 肥 工 业芝 大 学 教 授受 委 员安 徽巴鼾义 理 工大 学 副 教改授 一,, 寸∥矽 }艮矽 合肥工业大学,副教授,多,}支爻 合肥工业大学,副教授, 髟彬 导厩伽L丝么骖,到坼移疋.胡链漪 万方数据 学位论文独创性声明本人郑重声明:所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行独立研究工作所 学位论文独创性声明 本人郑重声明:所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行独立研究工作所 取得的成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的内容外,论文中不包含 其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获褥 金g里互些太堂 或其 他教育机构的学位或证书而使用过的材料。对本文成果做出贡献的个人和集体, 本人已在论文中作了明确的说明,并表示谢意。 学位论文中表达的观点纯属作者本人观点,与合肥工业大学无关。 学位论文作者签名:砰亚似 签名日期:z护肜年擘月力2一.IB 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解佥E垦兰丝太堂有关保留、使用学位论文的规定, 邸:除保密期内的涉密学位论文外,学校有权保存并向国家有关部门或机构送交 论文的复印件和电子光盘,允许论文被查阅或借阅。本人授权金目墨王些太堂 可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库,允许采用影印、缩印或扫 描等复制手段保存、汇编学位论文。 (保密的学位论文在解密后适用本授权书) 学位论文作者签名:郧亚仪 指导教师签名:棚绞防 , 签名日期:刃膨年年月Z妒 签名日期:劢f易年匆月沈旧 工作单位:舍船京赤寿裳岛秀哥教确隈岔司 联系电话:?;07鲐|曰‘器多 E-m8 i 1:施哆弦扣}’弦锣聒?、勿朋 通讯地址:舍惭调嘲匕隗 由5政编码:2岁护p川 五m罴 万方数据 致谢本论文的研究工作是在胡俊涛老师悉心、尽力的指导和帮助下完成的。从论 致谢 本论文的研究工作是在胡俊涛老师悉心、尽力的指导和帮助下完成的。从论 文的开题,到实验的构思、进展,以及最后的论文书写,其中每一个细节的完成 都是在胡老师付出巨大精力下完成的。胡老师温和的待人处事风格、严谨的治学 态度、渊博的知识每时每刻都给我以激励,不仅让我懂得了严谨治学的精神,更 有做人做事的态度。在此我向胡老师表达我最衷心的感谢以及敬意。 此外,我要感谢实验室的邱龙臻老师、张国兵老师、陆红波老师、王晓鸿老 师。每位老师在平常的实验室实验中,都给与了我很多的帮助和关心,学习的进 步离不开每位老师的教导,老师的治学态度也深深印在我的心中。 感谢王明晖师兄、宗艳凤师姐在我刚成为一名研究生时,给我在学习、科研 和生活上的帮助和扶持。感谢余承东、程群同学在实验中的帮助和谅解。感谢梅 文娟、杨劲松、冯鹏、胡晟、卫庆庆、叶康丽、秦飞虎给与我的帮助。感谢实验 室的各位同学对于我的帮助,感谢你们的陪伴。 最后我要深切的感谢我的父母,感谢他们对于我的支持和宽容,感谢这么多 年对我的付出。 作者:邓亚飞 2016年04月 万方数据 摘要有机发光二极管 摘要 有机发光二极管(OLED)由于其优异的性能越来越受到人们的广泛关注,并 已经应用于各类产品。其结构形式为薄膜结构,由正负电极之间加有机材料薄膜 构成,具有自发光、全彩色、结构简单、视角广、全固态、响应速度快、驱动电 压低、能耗低等优点。尤其是柔性有机发光二极管(FOLED)具有更加轻薄、耐 冲击的特性,被誉为“梦幻显示器”,并随着TFT-OLED技术的推进,已经成为显 示领域的新一代的发展趋势。 在OLED器件结构中,铟锡氧化物(ITO)是传统的用作OLED透明电极的 物质。但是在应用的过程中存在ITO薄膜沉积的设备投入大,生产成本高;当ITO 在柔性基板成膜时,薄膜的电阻高、透过率低;ITO具有脆性,和衬底之间的粘附 性差,在弯曲时薄膜会发生断裂,进而使器件失效等缺陷。所以,研究可替代ITO 作为OLED阳极的结构对于进一步发展OLED产业是十分必要的。 众所周知,Ag是导电性最好的金属,且具有优异的延展性。M003具有相对 较低的蒸镀温度和优异的空穴传输能力。经过文献调研发现,采用纳米Ag、M003 层制作金属、电介质膜系,替代ITO作为OLED阳极,还具有很大的应用研究空 间,可以应用于柔性器件等领域。关于金属、电介质膜系方面,本文主要研究以 下两个部分: (1) 以真空热蒸镀镀膜技术制备了纳米厚度的金属/电介质/金属(M/A/M) 膜系Ag/M003/Ag,并研究不同结构膜系的透过率和用不同膜系的电极制备器件, 进而研究其器件性能。器件结构为Ag/M003/Ag/

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