脉冲等离子体工艺中等离子体与表面相互作用数值研究-材料表面工程专业论文.docxVIP

优秀毕业论文 精品参考文献资料 脉冲等离-W 脉冲等离-W沐-r_艺中等离子体与表面相互作用数值研究 鞘层扩展和脉冲间歇时间等离子体回复的全脉冲周期等离子体动力学行为，模型准确性 得到实验诊断结果的验证。典型PBII工艺参数下，考虑等离子体扩散，稳态鞘层宽度由 O．05 m增加至0．06 m，相应离子注入电流密度由4．2 A／m2降低至2．8 A／m2。增强等离子 体扩散的工艺参数改变会降低稳态鞘层宽度并提高离子注入电流密度，反之亦然。不同 于单脉冲情况，多脉冲作用下脉冲频率由1 kHz提高至100 kHz，平均离子注入电流密 度显著提高，影响改性效率的限制因素由占空比转变为等离子体扩散。改性效率随主等 离子体密度线性提高、存在横向磁场时显著降低，其它工艺参数影响不显著。 PBLEII工艺采用高等离子体密度结合低脉冲负偏压，大幅减小了鞘层厚度，能够实 现保形性的表面改性效果。PBLEII工艺等离子体特性直接决定了离子注入电流均匀性、 从而决定了表面改性的保形性，是PBLEII工艺数值研究的关键问题。本文第四章理论 并实验研究了PBLEII全工艺过程等离子体特性与保形性表面改性，揭示了PBLEII工 艺机理并获得优化的工艺参数。采用等离子体整体模型模拟电子回旋共振(Electron Cyclotron Resonance，ECR)微波放电产生l 011～1 012／cm3高密度等离子体的物理过程，模 型结果获得实验诊断验证。采用磁化等离子体扩散流体模型计算等离子体沿发散磁场扩 散至处理腔室的输运过程，结果表明PBLEII工艺在样品表面产生均匀分布的等离子体， 有利于获得均匀的改性效果。降低工作气压会减小等离子体与中性粒子的碰撞，提高样 品表面等离子体密度。采用磁化鞘层碰撞流体模型计算脉冲施加时间鞘层保形性扩展和 低能离子注入过程，工作气压5x10-2Pa、等离子体源密度由2x1011／cm3提高至5x1011／cm3， 样品表面等离子体密度由1x1010／cm3提高至2．5x10lO／em3、鞘层厚度降低、注入电流密 度和改性效率提高，注入均匀性得到改善。将获得的离子注入电流密度作为边界条件， 采用非线性动力学离散模型描述奥氏体不锈钢中氮离子低能注入同步热扩散的输运过 程，模型计算氮浓度深度分布与EPMA测量结果一致。计算了渗氮层厚度分布以评价表 面改性的保形性，在工作气压5x10-2 Pa和微波吸收功率300 W的优化工艺参数下，能 够实现PBLEII工艺保形性表面改性。 关键词：脉冲等离子体；高功率脉冲磁控溅射；等离子体基离子注入；脉冲放电；脉冲 鞘层动力学；等离子体模型 万方数据 大连理工大学博士学位论文ABSTRACT 大连理工大学博士学位论文 ABSTRACT Three pulsed plasma processings，i．e．the modulated pulsed power magnetron sputtering (MPPMS)，the plasma-based ion implantation(PBII)and the plasma-based low-energy ion implantation(PBLEII)have been taken as examples，the energy，flux and uniformity of the ion flow in these pulsed plasma processings have been numerically studied in order to improve the development of these processings and to demonstrate the advantages of pulsed plasma characteristics in the surface modification．The influence of the pulsed plasma discharge character．istics on the ion deposition energy in MPPMS，the multi—pulse sheath dynamics on the ion implantation current density in PBII and the plasma characteristics on the ion implantation current uniformity in PBLEII have been numerically studied for purpose of understanding the plasma-surface interaction in p