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第 卷第 期 强 激 光 与 粒 子 束 ,
21 3 Vol.21 No.3
年 月 ,
2009 3 HIGH POWERLASERANDPARTICLEBEAMS Mar. 2009
文章编号: ( )
10014322200903042504
微波腔内波混沌散射的初步研究
,
12 2 2
闫二艳 , 马弘舸 , 孟凡宝
( 中国工程物理研究院 研究生部,北京 ; 中国工程物理研究院 应用电子学研究所,四川 绵阳 )
1. 1000882. 621900
摘 要: 通过建立的微波腔模拟产生大量腔体散射矩阵和辐射散射矩阵,并转化得到归一化散射矩阵和
阻抗矩阵。利用戴桑环系综对归一化散射矩阵的本征值和本征相位进行了统计分析,其本征值的模和本征相
位具有统计独立性,且本征相位近似均一分布,验证了腔体中波混沌散射的存在。对数值模拟和随机矩阵理论
预测得到的归一化阻抗的统计特性进行了比较,其结果基本一致,说明随机矩阵理论对归一化阻抗具有一定的
预测功能。
关键词: 微波腔; 波混沌散射; 随机耦合模型; 戴桑环系综; 电磁兼容; 概率密度函数
中图分类号: O425.5 文献标志码: A
随着电子技术的发展,电磁干扰问题也越来越严重。强电磁脉冲能量可通过小孔、缝隙等耦合到复杂腔体
内,使内部电路功能混乱,甚至损坏敏感电子设备。电磁场辐射通过后门耦合进入腔体一直是高功率微波
(HPM)效应和电磁兼容研究人员和工程技术人员感兴趣的。近年来,国内不少学者针对计算机机箱或主板开
[ ]
12
展了一些电磁辐射和耦合方面的研究 。但是,传统研究方法只是针对固定系统,实验结果不能应用于相似
的结构或给其提供预测。即使利用高效的电磁场分析计算,获得问题的详细特性仍然是一个挑战,主要有两个
原因:一是对于一些研究系统,其特征尺寸与波长的比值较大,使用网格划分的计算方法,实施起来非常困难;
二是腔体的内部场结构对于外部输入频率、腔体形状及内部元件位置的微小改变极其敏感,因此需要采用大量
内部场形状的平均。为了得到内部场结构有意义的评估,在时间和计算上花费巨大。本文引入随机耦合模型
来统计描述复杂封装系统。
1 随机耦合模型
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随机耦合模型 ( )是一个统计模型,它使用随机平面波假说和随机矩阵理论( ),用公式表示
RCM RMT
具有时间反演
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