聚吡咯的和氧化石墨纳米复合材料的制备及性能分析.docxVIP

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聚吡咯的和氧化石墨纳米复合材料的制备及性能分析

中文摘要摘要:导电聚合物/层状无机物纳米复合材料中由于层状无机物片层和导电聚合物 中文摘要 摘要:导电聚合物/层状无机物纳米复合材料中由于层状无机物片层和导电聚合物 的纳米复合,使得复合材料获得了出色的热学、电学、力学和电化学性能。因此, 导电聚合物/层状无机物纳米复合材料己成为新型功能材料的主要研究方向之一。 聚吡咯由于化学性能稳定、合成容易以及导电率可调等特点,受到了广泛的关注。 本文采用了化学氧化合成法制备聚吡咯,考察了不同体系(酸性、水溶液体 系)、氧化剂的浓度对聚吡咯的结构和性能的影响,确立了制备具有较高导电性能 的聚吡咯的工艺方法和工艺条件。用修正后的H啪mers法制备氧化石墨,采用原 位聚合法制备聚吡咯/氧化石墨纳米复合材料。系统的考察了表面活性剂(十六烷 基三甲基溴化铵)与吡咯的摩尔比、过硫酸铵与吡咯的摩尔比、氧化石墨与吡咯 的质量比等工艺对聚吡咯/氧化石墨纳米复合材料结构和性能的影响。初步探讨了 PPv/GO纳米复合材料在吸波性能方面的应用。 通过对复合材料进行SEM、XRD、FT_IR、电导率、红外发射率、电磁参数、 反射损耗等测试,结果显示:(1)复合材料中,聚吡咯嵌入到氧化石墨层间,使氧 化石墨层间间距增大,同时,聚吡咯的结构也有所改变;(2)复合材料的红外发射 率相对聚吡咯增加了O.17左右;(3)复合材料的电磁损耗有很大提高,反射损耗最 大达到.34dB,而聚吡咯的反射损耗只有一3dB;且在O一20GHz频率范围内小于.8dB 的有效带宽超过6GHz。复合材料的介电损耗相对聚吡咯有很大提高,其吸波性能 相比聚吡咯提高了一个数量级。 关键词:聚吡咯、氧化石墨、纳米复合材料、吸波性能 分类号:063 j匕塞銮道太堂亟±堂焦途塞垒垦墨!丛g!ABSTRACT j匕塞銮道太堂亟±堂焦途塞垒垦墨!丛g! ABSTRACT ABSTRACT: 111 Conductive p01),1Iler/layered inorgallic nallo-composites, the compo蛐d Of conductive p01ylIlers aIld 1ayered ino曙a11ic film layer of nallo。composite mat嘶als西ves the composite mat丽a1 with excellent mechallical,menml,electrical and electroChemical pmpenies.There】bre,the conductive polyme饥ayered inorg;aIlic nanocomposites have become one of the main research directions of new fhnctional mat嘶als. Polypyn.01e(PPy) has been eXtensiVely studied due to its adjustable conductivity、 nice enVi ro]【1IIlent stability aIld relatiVely easy pr印aration. IIl this article,polyp),rrole has been synthesized by the way of ch锄ical oxidation. Then,we have inVestigated tlle impact of di低:rent systems(acidic,aqueouS s01ution) aIld me oxidant concentration to s缸ucture a11d perfo姗aIlce of polypy玎-ole,which established the pr印aration ofhi曲conductiVe propenies of polypyn.ole process a11d process conditions.Oxidation of the graphite was pr印ared by锄ended Hu蛐erS method,and PPy/oO nallo—compound material was pr印ared by situ p01ymerization. PPy/Go nano—compound matedal structure and perf.omlance was ex锄ined systematically by the influence舶m molar ratio of sumctaIlts and p归.0le,m01ar ratio of猢oni啪persulfate aIld

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