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- 2019-01-18 发布于福建
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探针方法测量半导思体的电阻率34
;〈一〉实验目的
〈二〉实验原理
〈三〉仪器结构特征
〈四〉操作步骤
〈五〉注意事项
〈六〉技术参数;一 实验目的;二 实验原理;材料电阻率;(a)块状和棒状样品体电阻率测量:
由于块状和棒状样品外形尺寸与探针间距比较,合乎于半无限大的边界条件,电阻率值可以直接由(1)、(2)式求出。;(b)簿片电阻率测量
簿片样品因为其厚度与探针间距比较,不能忽略,测量时要提供样品的厚度形状和测量位置的修正系数。;电阻率值可由下面公式得出:;2、带扩散层的方块电阻测量
当半导体薄层尺寸满足于半无限大时:
若取I = 4.53 I0,I0为该电流量程满度值,则R0值可由数字表中直接读出的数乘上10后得到。;三 仪器结构特征;仪器电源经过DC-DC变换器,由恒流源电路产生一个高稳定恒定直流电流,其量程为10μA、100μA、1mA、10mA、100mA,数值连续可调,输送到1、4探针上,在样品上产生一个电位差,此直流电压信号由2、3探针输送到电气箱内。具有高灵敏度、高输入阻抗的直流放大器中将直流信号放大(放大量程有0.2mV、2mV、20mV 、200mV、2V),再经过双积分A/D变换将模拟量变换为数字量,经由计数器、单位、小数点自动转换电路显示出测量结果。;为克服测试时探针与样品接触时产生的接触电势和整流效应的影响。本仪器设立有“粗调
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