晶硅太阳能电池工艺简介1.pptx

晶硅太阳能电池常规工艺简介;常规晶硅电池工艺流程;电池片生产流程——剖面图;清洗制绒（texture）目的;单晶制绒原理： ;单晶硅槽式制绒设备;单晶制绒工艺流程图;多晶硅片在HF-HNO3溶液中，由于反应的不均匀形成大小不等的腐蚀坑； 反应如下： Si+2HNO3+6HF = H2[SiF6]+2HNO2+2H2O 3Si+4HNO3+18HF = 3H2[SiF6]+4NO+8H2O 3Si+2HNO3+18HF = 3H2[SiF6]+2NO+4H2O+3H2 5Si+6HNO3+30HF=5H2[SiF6]+2NO2+4NO+10H2O+3H2 ;多晶硅绒面形貌图;多晶硅制绒工艺流程;在线式制绒设备——在线式制（RENA）;在线式制绒内部结构（Schmid）;制绒工序检验内容;;扩散制结基础（diffusion）;PN结（PN junction）;太阳能电池扩散方法;热扩散反应; 生成的P2O5又进一步与硅作用，生成SiO2和磷原子，由此可见在磷扩散时，为了促使POCl3充分的分解和避免PCl5对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气 。;扩散??备及扩散间设备操作;扩散管路原理图;扩散基本步骤;扩散工序检测内容;方块电阻的意义及测量;刻蚀去边或腐蚀去背结;刻蚀原理;等离子刻蚀机;去磷硅玻璃;等离子刻蚀基本步骤;去磷硅玻璃清洗机;刻蚀+去PSG检测内容;PECVD镀膜; ;PECVD原理;PECVD等离子产生方式：;等离子的两种产生方式比较;PECVD设备结构;平板式PECVD设备;平板式PECVD工艺过程;管式PECVD镀膜设备;管式PECVD工艺控制过程;;;管式PECVD的基本工艺步骤;PECVD检测内容;制备电极;制备电极的方法;丝网印刷的原理;丝网印刷流程;;丝网印刷的设备(Baccini);丝网印刷检测内容;烧结的目的;烧结的原理;烧结的设备——烧结炉despatch;烧结炉（centrotherm）;烧结炉内部机构及工艺图;测试分选包装入库;电池参数的定义;测试分选设备(台达）;电池片的包装入库;洁净室标准;美国联邦标准《Fed-Sta-209E》为洁净室洁净等级，一个历史阶段以来，为世界各国所采用，在规范设计行为方面，发挥了巨大的作用，随着科学技术的发展，它完成了其历史使命。美国环境科学委员会，于2001年11月24日正式宣布，由即日起取消并废除洁净室的美国联邦标准《Fed-Sta-209E》，在美国等效使用“ISO14644-1”洁净室等级的国际标准。在以后的文件中，再出现美国联邦标准《Fed-Sta-209E》的等级内容的字样，该文件可视之无效文件，或劣质文件或不合格文件。 我国修订后的“洁净厂房设计规范GB50073-2001”，已经在2002年开始实行，其中，关于洁净室洁净等级，等效采用“ISO14644-1”洁净室等级的国际标准，实现了与国际接轨。;晶硅太阳能电池车间洁净度;习题;3. 简述PECVD的原理的特点，并写出反应式 答： PECVD技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。PECVD方法的特点是等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，能显著降低薄膜沉积的温度范围。反应方程式：;4. 简述丝网印刷的制作流程（顺序） 答：