微波射频集成电路技术.ppt

解放军理工大学通信工程学院 第13章 微波集成电路和LTCC 技术及其应用简介 13．1 微波毫米波集成电路的发展趋势 13．2 国内外研究现状 13．3 　 多芯片组件（MCM）简介 13．3．1 MCM的分类 13．3．2 MCM 的主要特点及应用 13．4 低温共烧陶瓷(LTCC)技术 13．4．1 LTCC 加工工艺流程 13．4．2 LTCC 基板的材料特性 13．4．3 LTCC 技术特点 １3．5 微波集成电路 13．5．1 混合微波集成电路 13．5．2 单片微波集成电路 微波毫米波集成电路的发展趋势 随着微电子技术的不断发展，对电子系统的体积、重量、成本和性能的要求越来越高。通信、雷达、导航、测控等系统所需的微波毫米波集成电路也是向着短、小、轻、薄，以及高可靠性、高性能、低成本的方向快速发展。微波毫米波集成电路一直沿着初期的波导立体电路→混合集成电路→单片集成电路→多层多芯片模块（MCM）这一趋势在继续向前发展。目前，采用混合微波集成电路（HMIC）实现微波毫米波系统的技术已趋于成熟。尤其是随着单片微波集成电路（MMIC）技术的发展，集成度及可靠性得到进一步的提高。但对于有些集成度要求高的系统，HMIC技术已经不能满足要求。 Ka 波段下变频器 美国EDO公司的Ka波段下变频器，它的RF 为 25 到 30GHz中的任意 2GHz频段，IF输出14.8+/0.325GHz，变频增益为45dB，噪声系数小于2.5，输入输出驻波比小于 1.3，输出功率大于10dBm。实物图 微波毫米波电路的发展 2009 年德国IMST GmbH中心的W. Simon，J. Kassner，O. Nitschke 等人采用LTCC 技术制作了用于卫星通信的 Ka频段发射前端。在一块基板集成了天线阵、射频链路、本振链路以及直流偏置电路，并采用水冷散热系统使得模块热功率在30W 时依然能维持在 35 摄氏度以下。 微波毫米波电路的发展 微波毫米波电路的发展 微波毫米波电路的发展 2007年台湾大学的Yu-Hsun Peng研制出基于0.18μmCMOS工艺的Ku波段频率综合器。该频率合成器频率输出范围是14.8GHz～16.9GHz；供电电压2V；直流功耗仅为70mW；在输出15GHz时相位噪声为-104.5dBc/Hz@1MHz；由于采用了先进的0.18μmCMOS工艺，该频率合成器的面积仅为0.98mm×0.98mm。经过测试，该频率合成器在输出15.6GHz 时，功率可达-10dBm，相位噪声为-110dBc/Hz@1MHz。下面列出Ku波段频率合成器的原理图和加工版图。 微波毫米波电路的发展 2009 年电子科技大学李平等人采用LTCC技术设计一个毫米波精确制导收发前端。其发射功率达到7.34dBm，接收支路增益大于30dB，噪声系数小于5.5dB。 微波毫米波电路的发展 微波毫米波电路的发展 多芯片组件（Multi-Chip Module,简称 MCM）技术是继20世纪80年代的表面安装技术(SMT)之后，90年代在微电子领域兴起并获得迅速发展的一项最引人瞩目的微电子组装技术，也是电子元器件与整机系统之间的一种先进接口技术。MCM是将2个或2个以上的大规模集成电路（LST）裸芯片和其他微型元器件（含片式化元器件）互连组装在同一块高密度、高层基板上，并封装在同一外壳内构成功能齐全、质量可靠的电子组件。 13．3．1 MCM的分类 MCM 因使用的材料与工艺技术的不同，种类繁多，其分类方法也因认识角度的不同而异。按基板类型分类，可把MCM分成厚膜MCM、薄膜MCM、陶瓷MCM和混合MCM。而国际比较流行的是按基板材料与基板制作工艺来分类，提出的按照MCM的结构进行分类的方式，将MCM分为如表13-1所示的三个基本类型：MCM-L (叠层多芯片组件)、MCM-C (共烧陶瓷多芯片组件)、MCM-D（淀积多芯片组件）。 低温共烧陶瓷(LTCC-Low Temperature Co-fired Ceramic)技术是 MCM-C (共烧陶瓷多芯片组件)中的一种多层布线基板技术。它是一种将未烧结的流延陶瓷材料叠层在一起而制成的多层电路，内有印制互连导体、元件和电路，并将该结构烧成一个集成式陶瓷多层材料，然后在表面安装 IC、LSI裸芯片等构成具有一定部件或系统功能的高密度微电子组件技术。随着VLSI（超大规模集成）电路传输速度的提高及电子整机与系统进一步向小型化、多功能化、高可靠性方向发展，从而要求发展更高密度、高可靠性的电子封装技术。 它是近年来兴起的一种多学科交叉的整合组件技术，