三极管特性曲线参数及场效应管 模拟电子 传感器技术 阳教学课件.pptx

共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如图所示。; iB是输入电流，vBE是输入电压，加在B、E两电极之间。 iC是输出电流，vCE是输出电压，从C、E 两电极取出。 ; ; (2)输出特性曲线; 当vCE增加到使集电结反偏电压较大时，如 vCE ≥1 V vBE ≥0.7 V 运动到集电结的电子 基本上都可以被集电 区收集，此后vCE再增 加，电流也没有明显 的增加，特性曲线进 入与vCE轴基本平行的 区域 (这与输入特性曲 线随vCE增大而右移的 图02.06 共发射极接法输出特性曲线 原因是一致的) 。（动画2-2） ; 输出特性曲线可以分为三个区域: ;半导体三极管的参数; 在放大区基本不变。在共发射极输出特性 曲线上，通过垂直于X轴的直线(vCE=const)来求 取IC / IB ，如图02.07所示。在IC较小时和IC较大 时， 会有所减小，这一关系见图02.08。;; ②极间反向电流 1.集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是 Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于 集电结的反向饱和电流。 ; 图02.09 ICEO在输出特性曲线上的位置;; 2.共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE? VCB=const 当ICBO和ICEO很小时，≈?、≈?，可以不加区分。; (3)极限参数 ①集电极最大允许电流ICM;②集电极最大允许功率损耗PCM; ③反向击穿电压; 1.V(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。 下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，CB 代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。 ; 由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图02.12。 图02.12 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区 ;半导体三极管的型号; 表02.01 双极型三极管的参数;1.4.1 结型场效应三极管; (2) 结型场效应三极管的工作原理;(a) 漏极输出特性曲线 (b) 转移特性曲线 图02.22 N沟道结型场效应三极管的特性曲线 ;2008-4-10;; 0＜VGS＜VGS(th) ; VGS对漏极电流的控制关系可用 ID=f(VGS)?VDS=const 这一曲线描述，称为转移特性曲线，见图02.14。; 图02.14 VGS对漏极电流的控制特性——转移特性曲线 ;;2008-4-10;; (a) 结构示意图 (b) 转移特性曲线 图02.17 N沟道耗尽型MOSFET的结构 和转移特性曲线 ; (3)P沟道耗尽型MOSFET; 图02.18 各类场效应三极管的特性曲线;;;2.2.4 场效应三极管的参数和型号; ④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。