二氧化钛大尺寸多孔窄带隙半导体复合材料制备及其可见光催化性能研究材料物理与化学专业论文.docxVIP

⑧指导教师签名： ⑧ 指导教师签名：辑论文作者签名： 丛i垒咝 论文评阅人1： 扬金蕉瓠迫1蟹＆翅牛编， 评阅人2： 选至盘遣塾固盘亟竺蝴／ 评阅人3： 杨云霞趁受箜盔盗王盟㈣／ 评阅人4： 樊左垩燃1刍l逸盘蚪魂 评阅人5： 旦壹松盘峻l塾透趟}厮天谶 答辩委员会主席： 墨宝鲑盘遣角纽丝鱼乏垡2毗 委员1： 韭遮盏监)塑l羔逃琏俅2嘴 委员2： 蔓送基拯篮一覃卤丝龇赫科旅乞 委员3： 樊先垩：翘丛j煎l缝交愀 委员4： 杨耀燃幽醯超邺阮 万方数据 IIll IIllllllllllllll 111JlllllllhlJllllllllhl lllllll Y2788452 ．The Preparation and Visible-Light Photocatalytic Properties． ．o—f——T——i—O———2—／—P——o——r—o——u——s——B——u—lk—Narrow Gap Semiconductor． ⑧ Author’S signature： ～ Supervisor 7S signature： External Re Examining 泐i泓 Examining Committee Members： Date of oral defence： 』望坠￡23垄Q!量 万方数据 独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的 独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的 研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其 他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得逝姿盘堂或其他教育机 构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献 均己在论文中作了明确的说明并表示谢意。 | 学位论文作者签名：v陟违唐签字日期： 沙f厂年6 月占 日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解逝婆盘堂有关保留、使用学位论文的规定， 有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和 借阅。本人授权堂姿盘堂可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库 进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。 (保密的学位论文在解密后适用本授权书) 学位论文作者签名：沙妖应囊i≥ 导师签名： 物蝴 签字日期：_I箩年6月‘日 签字吼撕6月∥日 万方数据 摘要摘要 摘要 摘要 半导体光催化技术具有低能耗、易操作、环境友好等突出优点，在环境治 理和能源利用方面具有广阔的应用前景。Ti02因其无毒性，良好的化学稳定 性，合适的能带位置和价格低廉，在半导体光催化领域占有重要地位。然而， 其较差的光响应特性和较低的光生载流子分离效率限制了其实际应用，拓展光 响应波长、促进光生载流子分离以提高材料量子效率一直是Ti02研究的重要方 向。 本文采用湿化学方法合成大尺寸多孔钒酸铟(InVO。)微球和大尺寸多孔类 石墨氮化碳(g．C3N4)颗粒，并在其表面控制Ti02纳米晶粒生长，制备出具有 优异可见光催化性能的Ti02／大尺寸多孔窄带隙半导体复合材料。利用窄带隙半 导体与Ti02复合，在增强复合材料对可见光响应的同时，通过光生载流子在两 种半导体间迁移实现电子、空穴有效分离，提高光催化量子效率；在此基础上， 进一步在复合材料大尺寸基体中引入多孔结构，提高材料比表面积，增加表面 反应活性位点，大幅提高材料光催化活性，有效兼顾了大尺寸材料易回收利用以 及多孔材料高比表面积的优势。论文的主要研究内容及结论如下： (1)多孔InV04微球的制备及表征 采用共沉淀结合水热法制备正交相InV04纳米颗粒。开展共沉淀过程中溶 液pH值和V／In摩尔比对产物物相的影响研究。基于优化后的制备条件，加入十 六烷基三甲基溴化铵(CTAB)表面活性剂，采用水热法制备三维多孔InV04微 球。深入考察了CTAB含量对所得InV04微球结构形貌和性能的影响，同时阐 述了多孔InV04微球的形成机理。结果表明：当pH为4，V／In摩尔比为2／1时， 可以获得单一正交相InV04。多孔微球由结晶度较高的InV04纳米晶粒组装而 成，直径在2—5 gm之间。其形成机理主要是Oswald熟化和自组装过程的相互作 用。CTAB能通过静电作用将InV04纳米粒子有效连接，促进自组装过程，并最 终得到稳定分散的单一球体。随着CTAB含量的增加，InV04样品带隙呈先减后 增的变化趋势，而光生载流子分离效率显著提高。综合来看，当CTAB含量为1 wt％时，所得多孔InV04微球光催化活性最好，在光照10 h后对罗丹明B的降 解率达到77％，一级反应速率常数k为0．156 h～，是未添加CTAB所制备InV