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第 第 一 章 存 储 器 测 试 概 论 第 一 节 存 储 器 测 试 的 背 景 和 意 义 一 嵌 入 式 存 储 器 在 So C (S y st em on C hi p ) 设 计 中 发 挥 的 重 要 作 用 半 导 体 存 储 器 在 微 电 子 学 研 究 中 是 一 重 要 分 支 领 域 。 半 导 体 存 储 器 起 着 对 信 息 进 行 存 储 与 处 理 的 功 能 ， 它 广 泛 地 应 用 于 各 种 微 电子 设 备 中 ， 发 挥 着 重 大 的 作 用 。 嵌 入 式 存 储 器 由于 其 高 带 宽 、低 功 耗 、 硅 面 积 开 销 小 等 优 点 被 广 泛 用 于 S oC 和 其 他 超 大 规 模 集 成 电 路 中 。 为 了 满 足 应 用 的 需 求 ， SoC 的 支 配 主 体 也 从 逻 辑 部 件 转 变 为 存 储 器 。 嵌 入 式 存 储 器 在 集 成 电 路 中 的 地 位 越 来 越 高 。近 年 来 ， 存 储 器 占整 个 集 成 电路 芯 片 面 积 的 百 分 比 已 经 在 急 速 上 升 。 根 据 美 国 半 导 体 行 业 协 会 编 著 的 “国 际 技 术 路 线 图 ” (In ter na t io na l T e eh n o lo gy R o a dm a p) ， S oC 系 统 中 的 嵌 入 式 存 储 器 作 所 占 面 积 比 例 将 不 断 变 大 ， 从 2 0 01 年 的 45 % 到 2 0 05 年 的 71 % ， 预 计 2 0 14 年 将 提 升 到 94 % 。 [1」 2 0 写 多2 % 了1 % 9 3 % 9 0 喊 夕4 % 翁积比 存 绪 器 面 形之比 重 周 逻 辑 面 私{ 比 新 增 逻 辑 面 积 比 数 徐 忠 自 文 献 〔1 1 年 份 图 1. 1 存 储 器 在 S oC 芯 片 中 所 占面 积 比率 二 . 嵌 入 式 存 储 器 测 试 的 重 要 意 义 测 试 已经 成 为 制 约 V L S 工，特 别 是 So C 设 计 和 应 用 的 一 个 关 键 因 素 。 植 入 So C 中 中 的 嵌 入 式 S RA M ， 将 更 加 难 以测 试 。 如 果 它 一 旦 失 效 ， 将 使 S oC 芯 片 失 效 ; 甚 至 影 响 整 个 系 统 。 按 照 下 面 价 值 规 律 : 系 统 价 值 约 等 于 10 倍 电 子 产 品 价 值 ; 电 子 产 品 价 值 约 等 于 10 倍 芯 片 价 值 。 不 难 得 出 结 论 : 嵌 入 式 S RA M 测 试 意 义 重 大 。 自钡叮试 ， 自诊 断 和 自修 复 成 为 研 究 重 点 。 第 二 节 存 储 器 的 电 路 模 型 一 半 导 体 存 储 器 的 分 类 按 照 使 用 功 能 的 不 同 ， 存 储 器 可 以 分 为 RA M 和 RO M 。S RA M 其 存 储 的 信 息 采 用 触 发 器 的 两 个 稳 定 状 态 来 表 示 ， 因 此 ， 在 非 掉 电情 况 下 不 会 自动 丢 失 。S RA M 速 度 非 常 快 ， 是 目前 读 写 最 快 的 存 储 设 备 了 ， 但 是 它 也 非 常 昂 贵 。所 以只 在 要 求 很 苛 刻 的 地 方 使 用 ， 譬 如 C PU 的 一 级 缓 冲 ， 二 级 缓 冲 ， S oC 芯 片 中 。 图 1 。2 半 导 体 存 储 器 的 分 类 二 · S RA M 存 储 单 元 结 构 S RA M 存 储 单 元 主 要 从 成 本 ， 速 度 和 功 耗 三 方 面 考 虑 。 由应 用 决 定 存 采 用 何 种 储 单 元 结 构 。 主 要 有 以下 三 种 结 构 : 1 . 四 管 S RAM 存 储 单 元 ( 电 阻 一负 载 型 ) 。成 本 低 ， 速 度 慢 和 功 耗 大 。 2 . 六 管 S RA M 存 储 单 元 。 成 本 较 高 ，速 度 较 快 和 功 耗 较 小 。 是 最 常 用 的 S RAM 存 储 单 元 。 3 . 八 管 S RAM 存 储 单 元 。成 本 高 ， 超 高 速 度 ，超 低 功 耗 。用 于 高 质 量 的 缓 存 。 六 管 S RAM 存 储 单 元 是 由 一 个 触 发 器 ， 或 背 靠 背 的 两 个 倒 相 器 组 成 ， 并 经 两 个 个 传 输 门 (F ET)