深亚微米抗辐照EEPROM单元与ESD设计.pdfVIP

目录 4．2．2深亚微米工艺总剂量加固单元结构…………………………………………．．24 4．2．3总剂量辐射实验结果及分析…………………………………………………．．26 4．3FLOTOX结构EEPROM单元单粒子辐射分析………………………………………28 4．4本章小结………………………………………………………………………………．29 第五章抗辐照EEPROM整体ESD设计………．．．．…．……．．．．．．．．…．．．．．．．31 1 5．1常规ESD结构及失效分析……………………………………………………………3 5．1．1常规NMOS管ESD保护原理…………………………………………………31 5．1．2抗辐照加固对常规NMOS管的影响…………………………………………34 5．2抗辐照ESD器件设计…………………………………………………………………34 5．2．1器件结构…………………………………………………………………………34 5．2．2工艺流程………………………………………………………………………．．36 5-2_3TLP测试曲线及分析……………………………………………………………37 5．3抗辐照ESD整体架构设计……………………………………………………………38 5．3．1ESD保护结构电路………………………………………………………………38 5．3．2整体版图………………………………………………………………………．．40 5．4本章小结………………………………………………………………………………．．40 第六章抗辐照EEPROM电路测试．……．．．．．．．．．．……………………．…．41 6．1抗辐照EEPROM常态电参数性能测试………………………………………………42 6．2抗辐照EEPROM辐射性能测试………………………………………………………45 6．2．1总剂量辐射性能测试…………………………………………………………．．45 6．2．2单粒子辐射试验………………………………………………………………．．48 6．3本章小结………………………………………………………………………………一49 第七章总结与展望．．．．………．．．……………………………………．51 7．1总结…………………………………………………………………………………………………………………5l 7．2展望…………………………………………………………………………………………………………………52 致谢．．．．．．．．．．．．．．．．．…．…．…………．．．．…………．．．．．．…．．．．．．．…53 参考文献……………………………………………………．…．…54 Ⅳ 万方数据 第一章绪论 第一章绪论 1．1研究背景与意义 航空航天设备在太空中飞行时，就一直处于辐射环境之中。对于航空航天设 备来说，其可靠性和使用寿命是关注的重点对象，辐射环境中的高能质子、Ct粒 子、中子、重离子等都会对芯片器件产生较大的影响，使航空航天设备的可靠性 和使用寿命降低。辐射对半导体器件的影响有可能会表现为长期缓变的影响，也 有可能是短期瞬态的影响。对于在太空应用的电子系统而言，这些影响都会是致 命的。 1962年，一篇研究等比例缩小工艺发展趋势的文章第一次提出了辐射效应 引起单粒子翻转现象【11。作者指出地球表面存在着宇宙射线，器件工艺尺寸缩 小到一定程度后，辐射效应会对器件的性能产生负面的影响，出现数据出错等一 些可靠性问题。1975年，Binder等人在实际应用中第一次观察到了辐射效应对 电子器件产生的扰动【21。同时文章指出，单粒子翻转现象在一颗通信卫星