纵向磁光克尔效应.ppt

纵向磁光克尔效应 磁学一班 王璋  磁光效应 光与处于磁化状态的物质之间发生相互作用而引起的各种光学现象，包括塞曼效应，克尔磁光效应，法拉第效应，磁双折射效应等。 克尔效应 线偏振光入射到磁化媒质表面反射时偏振面发生旋转的现象 约翰·克尔 约翰·克尔（John Kerr,1824-1907），英国物理学家，数学家，格拉斯哥大学文学硕士和法学博士学位。受到法拉第效应启发，于1876年发现克尔效应。 1985年，Moog和Bader利用磁光克尔效应在表面学上研究，成功得到一个原子层厚度磁性物质的磁滞回线，开启超薄磁性物质与界面磁性材料研究的大门。 磁光克尔效应原理 一束线偏振光从具有磁矩的介质表面反射时，反射光将是一束椭圆偏振光，而且偏振方向将发生产生旋转。相对于入射的线偏振光（以椭圆的长轴为标志）的偏振面方向有一定的偏转，偏转的角度为克尔转角，短轴与长轴的比为椭偏率。 克尔转角的大小正比于样品的磁化强度。  由于磁性物质磁化后，使物质的右旋折射率和左旋折射率不同，即双折射率。 一束偏振光可以分解成两个振幅相同的左旋光和右旋光，因此对于同一磁性材料，左旋光和右旋光的吸收反射系数不同。 所以左旋光和右旋光的在介质中传播速度不同，造成振幅和相位差，两光叠加形成一束椭圆偏振光。 三种磁光克尔效应  克尔磁光效应按照磁化强度和入射面相对取向划分。横向克尔效应只有反射率微小变化，偏振面不变。极向克尔效应克尔转角最大，最明显。对于很多薄膜样品来说，易磁轴往往平行于样品表面，因而只有在纵向克尔效应配置下样品的磁化强度才容易达到饱和。因此，纵向克尔效应对于薄膜样品的磁性研究来说是十分重要的。 纵向磁光克尔效应测量薄膜磁性  实际测量过程中起偏棱镜和检偏棱镜的偏振方向并不完全垂直, 而是有一个小的夹角δ,目的是为了区分正负克尔旋转角。  因为探测器只能检测光强,若2个棱镜的偏振方向互相垂直,即消光位置, 无论反射光偏振面是顺时针还是逆时针旋转, 反映在光强上的变化都是光强从零增大,故无法判断反射光的偏振面旋转方向,也就不能知道样品的磁化方向而当转过一个小角度后,通过检偏棱镜的光有一个本底光强I0,当反射光偏振面逆时针方向旋转,即转过+θk时,光强增加了△Ik变为I+;反之光强减弱。 激光经过起偏棱镜后的偏振面平行于入射面, 即为p 光入射, 又经过铁磁性样品表面反射, 反射光中产生了一个很小的垂直于Ep的电场分量Es，通常EsEp，一阶近似有：  Es/Ep=θk+iεk，εk为克尔椭偏率。 通过检测镜的光强为： I=|EpSinδ+EsCoxδ|^2 联立上述两式，得 I=|Ep|^2*|Sinδ+(θk+iεk) Coxδ|^2 通常δ较小，可以近似认为Sinδ≈δ， Coxδ ≈1 ，则有 I=|Ep|^2*|δ+(θk+iεk)|^2 δ虽然很小，远比但是θk和εk大，考虑到探测器只能探测到实数部分，去掉虚数部分，上式可近似为 I=|Ep|^2*（δ^2+2δθk) 无外加磁场，本底光强I0=|Ep|^2*δ^2，所以克尔旋角为 θk=δ△Ik/2I0 磁光克尔效应测量的优点 由于θk与磁化强度M成正比，θk可以通过检偏棱镜测出，所以此纵向磁光克尔效应实验系统不仅可以测量克尔旋角，还可以通过光强随磁场变化曲线得到磁性材料的磁滞回线。 磁光克尔效应测量仪器可以测量一个原子层厚度的薄膜，相当于可以测到千分之一的克尔旋角，灵敏度很高。而且这种磁性测量是非接触性的，还可以对磁性材料局域磁性测量，兼容性良好。 其他应用 利用克尔效应研发制作磁光记录光碟和硬盘 观察铁磁材料中的磁畴 * δ *