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DesmearPTH流程简介培训 深圳市美溢泰电路技术有限公司 ShenZhen Multilayer Circuit Technology Co.,LTD 一. 前言 由于单面板市场日益退缩,双面板及多层板已占据主要地位，其制程过程中化铜工艺乃必经之站尤显重要。它的作用就是使双面板和多层板的非金属孔，通过氧化还原反应在孔壁上沉积一层均匀的导电层,在经过电镀加厚镀铜,达到回路目的,要达到此目的就必须选择性能稳定可靠的化学铜液和制定正确的可行的和有效的工艺程序。 二. 化工流程 双面板化学铜典型工艺流程如下: 钻孔板 → 整孔 → 微蚀 → 预浸 → 活化 → 加速 → 化学铜 → 一铜加厚 多层板的化学铜工艺流程和双面板的基本相同，不同之处在于多层板在整孔前须加孔内除胶渣处理。 三、化工流程簡介 3.1 除胶渣(Desmear) 印制板钻孔加工时，因钻头高速旋转与环氧树脂摩擦生热，可生成胶糊状钻污(smear)粘滞在孔内，这些钻污不仅会影响化学铜层与基体的结合力，还会防碍多层板内层铜环与外层电气的导通性。通过除胶渣处理，不仅能除去环氧树脂钻污，并能蚀刻环氧树脂表面使其表面产生生细小凹凸不平的小孔，以便提高孔壁镀层与基体的结合力并提高对活化剂的钯的吸附量，使孔空洞和吹孔现象大大减少。狭义的除胶渣是指高锰酸钾咬蚀这一站，而广义的除胶渣则包括三个站的流程，此三站為有机地结合在一起，环环相扣 3.1.1 膨松剂 采用有机溶液使孔内环氧树脂胶渣溶胀，以利于下一站碱性高锰酸钾的直接咬蚀作用，其温度一般在70℃，浸泡时间為7分鐘。 3.1.2 除胶渣 在高温的环境下，利用高锰酸钾强氧化能力除去溶胀了的环氧树脂，锰酸根和MnO2作为副产物的产生，将降低溶液的活性和氧化能力，通常采用电解或加入再生剂的方法将锰酸根再生为具有强氧化能力的高锰酸根，MnO2可用循环过滤的方式除去。 3.1.3 中和 此溶液为酸性溶液，用来还原多层板带出的高锰酸根，并完全除去孔内残留的MnO2，锰酸根，高锰酸根等。也可中和前站残留于印制板上的碱NaOH。   3.2 化学铜(PTH Plating Through Hole) 3.2.1 整孔 在化学铜时，在孔壁和铜箔表面同时发生化学反应，如果孔壁和铜箔表面有油污，指印或氧化层，就会影响化学铜层与基体的结合力，甚至沉积不上铜，所以必须要进行清洁处理。整孔另外一个重要作用就是调整孔壁基材的表面静电荷，通常钻孔后的板，孔壁带负电荷，这不利于随后吸附带负电性的胶体钯催化剂。通常会在清洁处理液中添加阳离子型的表面活化剂，其目的是提高孔壁对胶体鈀的吸附能力。整孔剂通常采用碱性溶液，因碱性溶液除油范围要比酸性溶液要广。循环过滤是非常必要的，有助于药液的均匀搅拌和对孔的渗透作用。加热可增强脱脂效果。 整孔常见异常处理 3.2.2 微蚀 微蚀刻处理又称为粗化处理或弱腐蚀 为了提高铜箔表面和化学铜之间的结合力，除去铜箔的氧化层。利用微蚀刻溶液从铜基体表面上蚀刻掉2~3微米的铜层，使铜箔表面粗糙。通常使用过硫酸钠或H2SO4/H2O2微蚀刻溶液。也有使用过硫酸銨(APS)的，為了保证微蚀效果，要求每班生产前应测试铜的微蚀速率。最佳粗化深度为2~5微米，可以保证化学铜的良好结合力。 通常采用失重法计算铜的蚀刻速率: 微蚀速率μm/min=失重(g)×5.6 /板面积(dm2)×处理时间 理想的微蚀速率為1~1.5μm/min 新开缸的微蚀液，开始蚀刻速率较慢，可以加入4g/L硫酸铜或保留25%的旧母液。当铜浓度高于7g/L以上时，其蚀刻速率保持稳定。 微蚀液异常处理 3.2.3 预浸 为防止将水带到随后的活化液中，使活化液的浓度和PH值发生变化，影响活化效果，通常在活化前先将印制板浸入预浸液处理，然后直接进入活化液中。 预浸液中铜浓度变高，铜就会被带到活化液中，造成活化液的分解或聚沉，原则上讲，预浸剂除钯外其他成分应与活化剂相同，这也是对活化剂的一种缓冲作用。 3.2.4 活化 活化的目的是在绝缘基体上吸附一层具有催化能力的金属颗粒，使经过活化的基体表面具有催化还原金属的能力，从而使化学铜反应在整个催化处理过的基体表面上顺利进行。使绝缘基体表面具有活化性能的方法通常有分步活化法，胶体铜活化法，胶体钯活化法等。 3.2.5 速化 活化之后在基体表面上吸附的是以金属钯為核心的胶团，在钯核周围包围着碱式锡酸盐化合物。在化学铜之前应除去一部分，以使钯核完全露出来，增强胶体钯的活性．加速还可以除去多余的碱式锡酸盐化合物，从而显著提高了化学铜层与基体间的结合强度．加速处理的实质是使碱式锡酸盐化合物重新溶解．如果加速液