第七章 模拟电路设计.pptVIP

模拟集成电路的设计流程图 MOS电流源 MOS电流源的分析 电流源SPICE语句 M1 Gnd Vdd Vdd Gnd MOS1 L=2u W=22u M2 I0 Vdd Gnd Gnd MOS1 L=2u W=22u dd Vdd Gnd 5.0 vds2 I0 Gnd 5.0 .MODEL MOS1 NMOS VTO=0.7 KP=110U GAMMA=0.4 +LAMBDA=0.04 PHI=0.7 .dc Vds2 0 10 0.1 .print dc is(M1) id(M2) MOS电流源的分析 MOS电流镜误差 Vds vs Ids, Ids3 但是，VGS2=VGS3而VDS2=Vdd-VGS1≠VDS3=Vdd，导致IR与I0存在误差。 改进型威尔逊电流镜 改进型威尔逊电流镜中，M4晶体管构成的有源电阻“消耗”了一个VGS，使M2、M3的源漏电压VDS相等。这样，IR与I0以一个几乎不变的比例存在。 改进型威尔逊电流镜分析 改进型威尔逊电流镜分析 改进型威尔逊电流镜分析 共源共栅电流镜分析 共源共栅电流镜分析 共源共栅电流镜分析 MOS差分放大电路 负载共源放大器 E/E型MOS差分放大器分析 E/E型MOS差分放大器分析 E/E型MOS差分放大器分析 练习:电流镜负载型MOS差分放大器(课后请重复一遍) （1）对放大器单端输入输出进行直流分析，确定其静态工作电压。 （2）对放大器进行瞬态分析。 （3) 画出对应的版图，并与电路图对比（LVS） 电流镜负载型MOS差分放大器分析 静态工作点分析 M2描述改为： M2 Vd Vi1 1 Gnd NMOS L=2u W=22u 静态工作点分析 瞬态分析 选择共模信号为1V, 差模信号为0.001V, 控制与分析语句为： vin1 Vi1 Gnd sin (1.0 0.001 10 0 0 0) vin2 Vi2 Gnd sin (1.0 0.001 10 0 0 180) .tran 0.01 0.5 start=0 .print tran v(Vi1) v(Vi2) v(Vd) 瞬态分析 输入-输出（单端输出） 版图设计 LVS 小作业： 请部分同学分别完成基本电流镜，威尔逊电路镜，改进型威尔逊电流镜，共源共栅电流镜的 （1）电路图 （2）请写出相应的电路描述的spice语言 （在忽略沟道调制效应的情况下，设置合理的栅的宽长比，实现2倍的电流放大） （3）画出与电路图相对应的版图（P型衬底） MOS差分放大器的负载形式 MOS差分放大器的负载与基本放大器的负载形式相似，主要的差别在于差分放大器的负载是成对的结构。 与差分对管一样，它们通常也是匹配形式，即两个负载器件是同种器件，具有相同的电学参数和几何参数。 差分放大器的负载通常是有源负载，对NMOS差分对管的差分放大器，其负载可以有多种形式： (1)增强型NMOS有源负载(构成E/E型放大器)； (2)耗尽型NMOS有源负载(构成E/D型放大器)； (3)互补型有源负载(PMOS恒流源负载)； (4)电流镜负载 下面以NMOS晶体管为差分对管的各种差分放大器电路进行分析。 M2 M1 M2栅漏共接，为有源电阻 当0VinVT1,M1载止 Vout=Vdd-VT1 （不随Vin变化） 当VinVT1, M1,M2导通，且处于饱和区 忽略沟道调制效应 （随Vin线性变化） 当VinVout+VT1(或VoutVin-VT1) M1工作在线性区，输入输出电压关系非线性 *Spice 语句 M2 Vdd Vdd Vout Gnd MOS1 L=2u W=5u M1 Vout Vin Gnd Gnd MOS1 L=2u W=20u v3 Vdd Gnd 5.0 .MODEL MOS1 NMOS VTO=0.7 KP=110U +GAMMA=0.4 LAMBDA=0.04 PHI=0.7 vvin Vin Gnd 5 .dc vvin 0 10 0.05 .print v(Vout) Vin Vout 载止区 饱和区 线性区 VT1 VT1+Vout vvin Vin Gnd sin(1.0 0.2 10) .tran 0.01 0.5 start=0 .print tran v(Vin) v(Vout) Vin Vout 电压增益 gmb2为M2管的背栅跨导，反映了M2的衬底偏置效应；gm1为M1管的跨导 (1) E/E型MOS差分放大器 加在差分放大器输入端的差模电压vi1-vi2=vid作用在M1和M2的栅源之间，如果Ml的栅源差模信号电压vgs1=vid/2，则M2的栅源差模信号电压为vgs2