硅片材料特性对电池综合性能的影响.ppt

* 晶澳太阳能 * * * 理想情况下，Isc随着厚度的增加而增加。 基体对光的吸收增加，尤其是长波段的光。 Si 在标准的制程下，当片厚小于200μm时，mc-Si太阳电池的主要性能参数开始减少。在降低硅片厚度以减少光伏成本时，要使用有效的表面钝化方法来减少表面复合与提高基区质量。 晶澳太阳能 随着硅片薄化的趋势，硅片厚度除了对电池良率会产生负面影响，逐渐会对效率产生负面影响。 [1] [1] 马丁·格林. 太阳能电池工作原理、技术和系统应用[M]. 上海交通大学出版社，2010. ﹡ International Technology Roadmap for Photovoltaics 工艺条件 片源 电阻率 少子寿命 ISC VOC FF ETA 低方阻 同一厂家 1.84 16.90 1.0538 1.0400 1.0130 1.0544 1.40 12.40 1.0388 1.0417 1.0157 1.0438 高方阻 同一厂家 2.08 63.55 1.0563 1.0417 1.0103 1.0563 1.60 33.79 1.0525 1.0433 1.0184 1.0625 高方阻 不同厂家 2.27 53.15 1.0525 1.0433 1.0169 1.0600 1.61 45.97 1.0488 1.0483 1.0191 1.0644 当电阻率较高时，其电流较高，但电压及填充相对较低；反之亦然。 * * 晶澳太阳能 电阻率对效率的影响较大，并且硅片电阻率-电池工艺有一定的匹配性。 [2] [2] 屈莹.不同电阻率太阳能电池制作工艺探索及电性能研究[C]. 第十一届中国光伏大会暨展览会会议论文集. 2010. * * 电阻率 标称功率 浆料 衰减类别 衰减率 1.404 高档位 - LID -1.80% 低档位 - LID -1.75% 1.848 高档位 - LID -1.29% 低档位 - LID -1.71% 衰减（LID) 晶澳太阳能 通常电阻率与电池LID呈反比关系。 [2] 少子寿命是用于表征材料的重金属沾污及体缺陷的重要参数，少子寿命值越大，相应的材料质量越好。 由于多晶硅片内部杂质和缺陷的不均匀性，其少子寿命分布也具有很大的不均匀性，而最终决定所做电池效率的是硅片少子寿命最小值。 少子寿命 Uoc Isc IRev2 Rse Rsh FF Eta 5.05 1.0277 1.0385 1.0506 1.0885 1.6277 1.0082 1.0213 8.09 1.0223 1.0331 1.1450 1.0580 1.0565 1.0106 1.0131 17.1 1.0337 1.0462 1.1481 1.0205 1.3343 1.0104 1.0369 33.85 1.0323 1.0433 1.6369 1.0160 1.1168 1.0136 1.0363 45.46 1.0350 1.0458 1.5344 1.0185 1.1348 1.0132 1.0413 * * 晶澳太阳能 通常硅片少子寿命和电池效率呈正比关系。 [3] [3] 张光春.尚德电力控股有限公司. 硅片质量对太阳能电池性能的影响[C]. ﹡ International Technology Roadmap for Photovoltaics 氧杂质的原生热施主和原生氧沉淀影响太阳电池效率 氧与硼原子作用，形成B-O 复合体，会在光照下进一步降低太阳电池效率。 碳杂质参与了氧沉淀 或新施主的生成。 SiC 颗粒（柱状） * * 晶澳太阳能 硅片中碳、氧含量需要被监控，并控制在合适的规格内。 [4] [4] 杨德仁. 杂质对太阳电池材料的影响. [C]. 第四届太阳硅材料会议, 2008. [3] * * 铁在硅中的存在形态： 间隙态铁 铁沉淀 铁的复合物 金属杂质及其沉淀或复合体都是少数载流子主要的复合中心 晶澳太阳能 金属杂质特别是过渡金属杂质对电池效率负面影响较大。 [1] 间隙态铁分布 * * 晶澳太阳能 [5] [5] 邓海，杨德仁等, 铸造多晶硅中杂质对少子寿命的影响[J]. 太阳能学报，2007. Vol.28. * * 沉淀铁 絮状黑色区域为沉淀铁的位错或晶界，其很难通过吸杂去除 晶澳太阳能 [6] [6] Buonassisi T et al, Nature Materials[J], 2005, 4(9), 676 铸造多晶硅中的位错与热应力密