zno和ain薄膜的mocvd生长及其性质研究凝聚态物理专业论文.docxVIP

University University of Science and Technology of China A d issertation for doctor’S deg ree G rowth and Properties Study of Zn O an d AI N Th i n F i I m S Deposited by MOCVD Author’S Name： Ze Zhong— speciality： Condensed State Physics Supervisor： Prof．Zhuxi Fu Finished time： November 6m，2009 中国科学技术大学学位论文原创性声明本人声明所呈交的学位论文，是本人在导师指导下进行研究工作所取得的成 中国科学技术大学学位论文原创性声明 本人声明所呈交的学位论文，是本人在导师指导下进行研究工作所取得的成 果。除已特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含任何他人已经发表或撰写 过的研究成果。与我一同工作的同志对本研究所做的贡献均已在论文中作了明确 的说明。 作者签名： 签字日期：翅翌：笪!宰 中国科学技术大学学位论文授权使用声明 作为申请学位的条件之一，学位论文著作权拥有者授权中国科学技术大学拥 有学位论文的部分使用权，即：学校有权按有关规定向国家有关部门或机构送交 论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅，可以将学位论文编入有关数据 库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。本人 提交的电子文档的内容和纸质论文的内容相一致。 保密的学位论文在解密后也遵守此规定。 剜公开 口保密(——年) 作者签名：缉鹭签字日期：—互豳碰牡 导师虢缓些鱼签字日期：尘旦丝刍螂 摘 摘 要 摘 要 ZnO是一种II．VI族宽禁带半导体化合物，在室温下拥有3．3eV的禁带宽度 和60meV的激子束缚能，这使其在光电器件领域的应用前景十分看好。ZnO在 某些方面具有比GaN更优越的性能，如：更高的禁带宽度和激子束缚能有利于 提高器件的发光强度、组分丰度高、原料成本低等， 这些因素使得ZnO在光电 领域的应用，已成为Gab／有力的竞争对手。ZnO成为现阶段光电材料研究领域 的新热点。在今后的发展中，ZnO基光电器件很可能将取代或部分取代GaN光 电器件。但目前ZnO基光电器件的研究缺遇到了瓶颈，在ZnO的生长中杂质和 缺陷的控制始终未能取得突破。因此需要对ZnO晶体的生长以及杂质和缺陷等 对于材料的性质的影响进行深入的研究。A1N材料因具有表面声学波传播速率 高、禁带宽度宽、绝缘和导热性能好、性质稳定等优点，在表面声学波、短波长 发光、SOl器件以及陶瓷材料等领域有着广泛的应用，也受到了广泛的关注 本文围绕上述观点，使用MOCVD方法对ZnO薄膜的生长以及本征缺陷对 于薄膜的发光性能的影响进行了一系列的研究。主要工作有： 采用水汽作氧源，二乙基锌作锌源，研究了外延条件对ZnO薄膜生长的影 响。发现更高的DEZn流量有利于增强ZnO薄膜的紫外发光强度，但会使薄膜 的生长呈双择优取向模式。在此前提下，保持较高的锌氧源摩尔比，优化了其它 生长条件，成功制备了具有单一c轴择优取向且能产生较强紫外发光的ZnO薄 膜。在此基础上对ZnO薄膜的性质展开了进一步研究。分析了锌氧源流量比、 基片温度、热处理条件对于ZnO薄膜性质的影响。得出的主要结论为：ZnO中 的紫外发光主要来自于自由激子和Zni施主的复合发射，两者浓度的提高都有利 于增强ZnO的紫外发光。采用RF裂解载气N2产生等离子体N源，在MOCVD 设备上生长了a轴择优取向的AIN薄膜。改变载气流量、生长温度、裂解功率 生长了多个系列样品。对样品的分析结果表明，各种生长条件的变化对于制得的 薄膜特性有不同的影响。在以上的工作基础上，进行了ZnO／A1N／Si结构的生长 和特性研究。 摘要本文共分6章： 摘要 本文共分6章： 第一章，主要介绍了ZnO、AIN材料的基本性质，应用前景和研究现状。对 主要的薄膜制备和表征手段进行了概述。提出了本文的工作要点。 第二章，研究了采用不同进气模式下生长的ZnO薄膜的结晶和发光性质。 分析了锌源浓度的提高对ZnO薄膜的生长和发光的影响。 第三章，研究了生长条件对薄膜性质的影响并对生长条件进行了一系列优 化，最终在高锌源浓度气氛中制备了具有较强的紫外发光强度和单一c轴择优取 向的ZnO薄膜。 第四章，通过改变锌氧源流量比、生长温度、热处理温度，进一步研究了 ZnO薄膜本征缺陷与其发光性质尤其是紫外发光性质的联系。结果证明了：ZnO 的紫外发光是自由激子与Zni缺陷共同作用的结果。 第五章，利用RF辅助MOCVD方法制备了a轴择优取向的AIN薄膜，对 样