晶硅太阳能电池加工工艺课件(PPT 87页).pptVIP

晶硅太阳能电池加工工艺;目录;PECVD工艺;PECVD工艺; 近代科学研究的结果表明，物质除了具有固态、液态和气态的这三种早为人们熟悉形态之外，在一定的条件下，还可能具有更高能量的第四种形态——等离子体状态。普通气体由电中性的分子或原子组成，而等离子体则是带电粒子和中性粒子的集合体。等离子体和普通气体在性质上更是存在本质的区别，首先，等离子体是一种导电流体，但是又能在与气体体积相比拟的宏观尺度内维持电中性；其次，气体分子间不存在净电磁力，而等离子体中的带电粒子之间存在库仑力；再者，作为一个带电粒子体系，等离子体的运动行为会受到电磁场的影响和支配。因此，等离子体是完全不同于普通气体的一种新的物质聚集态。;PECVD工艺;PECVD工艺;PECVD工艺;PECVD工艺;PECVD工艺;PECVD工艺;PECVD工艺;一般说来,采用PECVD 技术制备薄膜材料时，薄膜的生长主要包含以下三个基本过程： （一）在非平衡等离子体中，电子与反应气体发生初级反应，使得反应气体发生分解，形成离子和活性基团的混合物； （二）各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散输运，同时发生各反应物之间的次级反应； （三）到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生反应，同时伴随有气相分子物的再放出。;（一） 在辉光放电条件下，由于硅烷等离子体中的电子具有几个ev 以上的能量，因此H2和SiH4受电子的碰撞会发生分解，此类反应属于初级反应。若不考虑分解时的中间激发态，可以得到如下一些生成SiHm（m=0,1,2,3）与原子H 的离解反应：; 按照基态分子的标准生产热计算，上述各离解过程(2.1)~(2.5)所需的能量依次为2.1、4.1、4.4、5.9eV 和4.5eV。;等离子体内的高能量电子还能够发生如下的电离反应： e+SiH4→SiH2++H2+2e (2.6) e+SiH4→SiH3++ H+2e (2.7) e+SiH4→Si++2H2+2e (2.8) e+SiH4→SiH++H2+H+2e (2.9) 以上各电离反应(2.6)~(2.9)需要的能量分别为11.9，12.3，13.6和15.3eV，由于反应能量的差异，因此(2.1)~(2.9)各反应发生的几率是极不均匀的。 ;此外，随反应过程(2.1)~(2.5)生成的SiHm也会发生下列的次级反应而电离，例如 SiH+e→SiH++2e (2.10) SiH2+e→SiH2++2e (2.11) SiH3+e→SiH3++2e (2.12); 上述反应如果借助于单电子过程进行，大约需要12eV 以上的能量。鉴于通常制备硅基薄膜的气压条件下（10～100Pa）,电子密度约为1010cm-3的弱电离等离子体中10eV 以上的高能电子数目较少,累积电离的几率一般也比激发几率小，因此硅烷等离子体中，上述离化物的比例很小，SiHm的中性基团占支配地位，因为所需能量不同，SiHm的浓度按照SiH3,SiH2,Si,SiH 的顺序递减。;（二） 除上述的离解反应和电离反应之外，离子分子之间的次级反应也很重要： SiH2++SiH4→SiH3++SiH3 (2.13) 因此，就离子浓度而言，SiH3+比SiH2+多。它可以说明在通常的SiH4 等离子体中SiH3+离子比SiH2+离子多的原因。 此外，还会发生由等离子体中氢原子夺取SiH4中氢的分子-原子碰撞反应： H+ SiH4→SiH3+H2 (2.14) 这是一个放热反应，也是形成乙硅烷Si2H6的前驱反应。当然上述基团不仅仅处于基态，在等离子体中还会被激励到激发态。对硅烷等离子体的发射光谱研究的结果表明，存在有 Si, SiH, H 等的光学允许跃迁激发态[11],也存在SiH2,SiH3的振动激发态。;（三） 硅烷等离子体中的离化基团只是在低气压（5×10-3Torr）高电离的等离子体条件下才对薄膜沉积有显著的贡献，在一般硅薄膜的沉积条件下，各种中性基团的含量远远大于离化基团，SiH4分解产生的中性基团是薄膜生长过程中最重要的活性物质。;由于薄膜生长表面的悬挂键通常都被H 钝化，因此对于SiH2和SiH3等含氢的活性基团，表面反应必须经历吸收成键与放氢过程，并且放氢是这种反应中必不可少的过程。下面以SiH2说明这个过程： SiH2 + (Si-H) → (Si-SiH3*) (2.17) (Si-SiH3*) → (Si-SiH) + H2 (2.18) (Si-SiH) + (Si-H) → (Si-Si-SiH2) (2.19) 其中，(17)式是生长表面的吸收成键过程，(18)式是放氢过程，(19)式是放氢后与邻近的Si-H 键结合构成新的