超声喷雾热解法制备掺杂zno薄膜光学性能的研究光学专业论文.docxVIP

辽宁师范大学硕士学位论文摘要 辽宁师范大学硕士学位论文 摘要 氧化锌(Zinc oxide，简称ZnO)室温禁带宽度为3．37eV，激子束缚能为60meV。 以其优越的性能广泛应用于太阳能电池、通信材料和光催化材料中。根据该领域已有的 研究现状可知，目前的研究重点在实现ZnO的p型导电、ZnO基p-n结和寻求最佳衬底 等方面。现阶段的p型掺杂主要是通过共掺杂的方式来实现，其基本原理是通过金属元 素掺杂来提高非金属元素掺杂固溶度的方式来实现ZnO的p型掺杂。对p型ZnO掺杂的 研究主要集中在电学性能方面，对于光学性能的研究相对较少。此外在制备ZnO薄膜的 诸多方法中超声喷雾热解法以其简单的操作流程和可调工艺参数多的优点成为近年来 倍受关注的一种薄膜制备方法。 本文研究的重点是用超声喷雾热解法以乙酸锌为前驱体溶液来制备ZnO薄膜，并以 乙酸铵和硝酸铝为N源和Al源分别制备了N掺杂及N-A1共掺杂ZnO薄膜。利用扫描电 子显微镜(SEM)、X射线衍射谱(XRD)、光致发光谱(PL谱)、紫外可见分光光度计(UV 光谱)和霍尔效应测试仪分别对制备的薄膜进行了样品形貌、晶格结构、结晶质量、带 隙宽度和导电类型等光学和电学性能的研究。实验结果表明在乙酸锌的浓度为 0．3mol／L，乙酸铵的浓度为0．9mol／L，掺杂比为Zn：N=I：3，衬底温度为500℃，喷嘴到 衬底的距离为5cm，氧气通量为1．6L／min时得到的N掺杂ZnO为六角纤锌矿结构，结晶 质量和光透过率较高，UV光谱和PL谱的测试结果显示在该条件制备的N掺杂ZnO有较 好的光学性质，光学带隙较未掺杂的相比有一定的展宽，但SEM结果显示N掺杂后的薄 膜表面粗糙程度有所下降。在这个基础上我们又用浓度为0．05mol／L的硝酸铝为铝源制 备了N—Al共掺杂ZnO薄膜。测试结果表明在掺杂比为Zn：N：AI=I：3：0．12，衬底温度 为500C的条件下得到的薄膜结晶质量较好，光学带隙展宽的最多，PL谱也发生了相应 的蓝移，透过率低于未掺Al的ZnO薄膜，薄膜表面粗糙程度继续下降，霍尔效应测试 结果表明该掺杂比的薄膜为n型导电，掺杂比为zn：N：AI=I：3：0．04的样品光学带隙 最窄，但是却成P型导电，说明我们这一实验系统在实现同时改善光学和电学性能的薄 膜制各上还有很大的改进空间。 关键词：ZnO薄膜；超声喷雾热解法；N掺杂；N—A1共掺杂；光学性能；电学性能 超声喷雾热解法制备掺杂Zn0薄膜光学性能的研究Optical 超声喷雾热解法制备掺杂Zn0薄膜光学性能的研究 Optical properties of doped zinc oxide thin films prepared by Ultrasonic spray pyrolysis method Abstract Zinc oxide(ZnO)with bandgap is 3．37eV at room temperature and the exciton bound energy is 60meV because of its exceptional photoelectric properties，ZnO is extensively used in the fields of solar cell，communication material and photocatalytic material．According to the present research situation we know that，at present，the research emphasises are the realization of p—type conductive ZnO，ZnO—basic p-n junction and seeking the best substrate． Now,the P-type dopant is mainly realized by CO—doping method，the basic principle is that the metal element doping can improve the non—metal element doping solid solubility,SO as to realize the p-type doped ZnO．The research on P-type doping of ZnO thin films mainly focus on the electrical property,little on its optical properties．In addition，the ultrasonic spray pyrolysis m