二氧化钛薄膜的掺杂复合及其性能研究材料学专业论文.docxVIP

浙江大学博士学位论文DBD—CVD中存在能量较高的等离子体，相对于使用APCVD方法，用DBD-CVD 浙江大学博士学位论文 DBD—CVD中存在能量较高的等离子体，相对于使用APCVD方法，用DBD-CVD 方法制备的Ti02薄膜Ti-N键含量更高，其光学带隙向可见光方向的移动也更多。 其中，使用DBD．CVD方法，以NH3为掺氮源，当Nil3流量为120sccm时制备的 Ti02薄膜的带隙最窄，达到了2．64eV。 用APCVD和DBD．CVD法制备的掺氮Ti02薄膜均表现出优于相同条件下制备 的纯Ti02样品的可见光诱导光催化性，而其在紫外光下的光催化性总体来说相对与 纯Ti02样品变化不大。用DBD—CVD法，以NH3为掺氮源，当NH3流量为25sccm 时制各的Ti02薄膜样品在可见光和紫外光下的光催化性能最好。这是由于该样品其 结晶性能最好，结晶颗粒大，最大可以达到1000rim，在(200)晶面取向，晶粒形 状为长方体，光学带隙相对较窄，能够增强对可见光的吸收。 3．复合薄膜体系的结构与性能研究 设计并且制备了Sn02：F／Ti02复合薄膜体系，实现低辐射功能和自清洁功能的结 合。Ti02薄膜分别在普通玻璃和在Sn02：F层上沉积，主要形成的为锐钛矿相。当 Ti02沉积Sn02：F层上时，Sn02-F层诱导薄膜形成了高低不平的团簇结构。随着Ti02 薄膜厚度的增加(25nm～590nm)，Sn02：F／Ti02复合薄膜体系的光催化性先提高，然 后下降，当薄膜厚度为150nm时，Sn02：F／Ti02复合薄膜体系的光催化性达到最优。 Sn02：F／Ti02复合薄膜体系的亲水性呈现与薄膜光催化性相同的趋势。随着Ti02薄膜 厚度从0nm增加到590nm，复合薄膜的中远红外反射率从O．744下降到O．526，这与 通过测量表面电阻计算复合薄膜中远红外反射率的结果一致。探讨了复合薄膜中远 红外反射率机制，sn02：F／Ti02复合薄膜体系的方块电阻值是由两层膜所形成的串联 回路来决定的，SnO：：F／Ti02复合薄膜体系的中远红外反射主要来源于Sn02：F层。 设计并且制备了a．Si：H／Ti02复合薄膜体系。首先使用DBD—CVD法制备了a-Si： H薄膜，发现DBD电源电压是关键的影响因素：提高DBD电源电压，一是有利于 提高薄膜的沉积速率，在放电电压为12kV时，沉积速率能够达到0．34nm／s，薄膜 的附着性良好：二是有利于提高薄膜的有序性；三是有利于在非晶硅中引入氢，并 以SiH2键合形式为主。在此基础上成功制备了a—Si：H／Ti02复合薄膜体系，发现si：H 层对ri02生长有诱导作用，单层Ti02薄膜在(200)晶面存在一定的取向性，而a—si： H／Ti02复合薄膜中的Ti02薄膜在(211)晶面存在一定的取向性。由于Ti02晶粒取 向性的不同，Ti02薄膜的表面形貌上也出现了差别，单层Ti02薄膜中的晶粒为四方 体，而a-Si：H／Ti02复合薄膜体系中的Ti02晶粒是片状。相对于单层Ti02薄膜，a—si： H／Ti02复合薄膜在可见光下的降解罗丹明B的效率及其亲水性有了一定程度的提 高，这主要是由于复合薄膜能更好地利用可见光。然而在紫外光激发下，a．Si：H／Ti02 复合薄膜体系的光催化效率却降低了。 4．光催化性影响因素机制研究 从表面微观结构、掺杂和复合三个方面系统地讨论了影响二氧化钛光催化因素 的机制。建立晶体生长模型来解释不同晶粒形成的过程。晶体的取向决定晶胞的形 状，包括八面体{211)、长方体{200)和类圆球体({200)与{211))，而晶胞的形状影 摘要响Ti02薄膜的晶粒形状及其表面状态，从而影响Ti02薄膜的光催化性。晶粒尺度越 摘要 响Ti02薄膜的晶粒形状及其表面状态，从而影响Ti02薄膜的光催化性。晶粒尺度越 大，Ti02薄膜的光催化性越好；Ti02存在晶面取向时，薄膜的光催化性较好，且晶 面取向为(200)，晶粒形状为长方体时，薄膜的光催化性最好；Ti02薄膜存在取向 柱状生长，进一步提高薄膜表面的微观表面积，薄膜的光催化性进一步提高。计算 了掺N的Ti02能态密度图，N的引入在导带上部引入了一个中间能级，使得掺N 的Ti02可利用光电子能量更小的光电子，从而提高了在可见光下的光催化效率。建 立Sn02：F仃i02和a．Si：l-bTi02复合薄膜体系光生载流子输送分离作用机制模型，二 元半导体复合体系中的电荷分离提高Ti02薄膜的光催化性，并且拓宽其光响应范围。 关键词Ti02薄膜；常压化学气相沉积(APCVD)；介质阻挡放电化学气相沉积 (DBD—cVD)；表面微观结构；掺N；Sn02：F／Ti02复合薄膜体系：a．Si：H／Ti02复合 薄膜体系；光催化性；亲