znga2o4长途辉发光及其光催化性能研究电子科学与技术专业论文.docxVIP

分类号： 分类号： 学校代号：11845 UDC： 密级： 学 号：2111215017 广东工业大学硕士学位论文 (工学硕士) ZnGa204长余辉发光及其光催化性能研究 黎达荣 指导教师姓名、职称： 王银海教授 学科(专业)或领域名称： 电王型堂皇撞苤 学生所属学院： 塑堡皇堂皇王猩堂院 论文答辩日期： 呈Q!墨生墨旦墨Q旦 万方数据 A A Dissertation Submitted to Guangdong University of Technology for the Degree of Master (Master of Engineering Science) IUlII I I IIII II II I I II III Y279631 4 Persistent luminescence and photocatalytic properties of Zn Ga204 phosphors Cand idate：Darong Li Supervisor：Prof．Yinhai Wang May 201 5 School of PhysicsOptoelectronic Engineering Guangdong University of Technology Guangzhou，Guangdong，P．R．China，51 0006 万方数据 摘要摘要 摘要 摘要 ZnGa204作为是一种自激活新型发光材料，最近受到了研究人员的广泛关注。 它具有优秀的化学热稳定性和颜色纯度，其本身也是一种良好的发光材料基质，而 被广泛应用到真空荧光显示器件，场发射显示器件，等离子体显示器件等。同时 ZnGa204还具备优秀的发光性能以及光催化性能。鉴于此，本文结合ZnGa204的长 余辉和光催化特性，把长余辉材料的陷阱能级分析方法引用到光催化材料中，通过 陷阱的引入有效地提高光生电子和空穴的分离，从而讨论提高材料光催化性能的方 法。本文主要内容包括以下三个方面： 采用高温固相法制备了ZnxGa203+“X_l，O．95，0．9，0．85，0．8)系列长余辉荧光粉。 其中，ZnGa204，Zno．95Ga203挪和Zno．9Ga203．9的XRD图谱与标准卡片图谱一致， Zno．85Ga203_85和Zno 8Ga203 8均出现少量13一Ga203的相。光致发光谱表明随着Zn2+ 离子浓度逐渐降低，发射谱出现了红移的现象，这是由于离子问的替代而导致晶格 常数的变化。余辉衰减曲线表明适量减少Zn的含量可以提高长余辉发光性能，其 原因已通过热释光曲线分析详细说明。光催化特性分析表明Zn浓度适量降低，还 可以提高ZnGa204的光催化活性，是因为Zno．85Ga203．85在陷阱能级中可以产生更多 的电子陷阱捕获光生电子，有效地提高光生电子和空穴的分离。 采用高温固相法合成了ZnGa204+m％H3803(m=0，10)长余辉荧光粉。X射线衍 射分析(XRD)看出添加少量H3803并没有改变ZnGa204的晶体结构。从光致发光谱 可看出两个样品的光致发光谱峰形相近。余辉衰减曲线表明添加适量的H3803可以 有效地提高ZnGa20。长余辉性能，并且用肉眼可观察到30min以上的绿光长余辉发 射。光催化特性分析表明了ZnGa204+10％H3803的光催化活性比ZnGa204弱，其原 因己结合材料形貌结构详细分析。 采用高温固相法制备了Lio．15zno．85Ga204荧光粉。XRD图谱表明Li+离子进入 ZnGa204晶格中并取代部分zn2+离子的位置。拉曼光谱分析表明具有ZnGa204的一 阶拉曼模仅来源于四面体格位的振动情况。光致发光谱和余辉光谱说明了掺杂Li+ 离子后，ZnGa204的发光性能有所提高，其原因是增加了阳离子空位的浓度。余辉 衰减曲线说明适量掺杂Li+离子可以提高长余辉性能并用热释光特性分析是因为增 加了陷阱的浓度。光催化特性分析表明Lio．15Zno 85Ga204具有较高的光催化活性，因 万方数据 广东工业大学硕士学位论文为引入了更多的电子陷阱，导致更多的光生电子空穴被陷阱俘获，增强电子空穴之 广东工业大学硕士学位论文 为引入了更多的电子陷阱，导致更多的光生电子空穴被陷阱俘获，增强电子空穴之 问的分离。 关键词：ZnOa204；长余辉；光催化；陷阱 Ⅱ 万方数据 ABSTRACTZnGa：04 ABSTRACT ZnGa：04 as a self-activating and novel luminescence materials，has been received much attention from researchers recently．It has excellent chemi