形载流导线加偏磁场可控原子磁囚禁光学专业论文.docxVIP

苏州大学 硕士学位论文 #－形载流导线加偏磁场可控原子磁囚禁 姓名：吴明眼 申请学位级别：硕士 专业：光学 指导教师：刘南春 201104 #96载流导线加偏磁场可控原子磁囚禁 #96载流导线加偏磁场可控原子磁囚禁 中文摘要 撑形载流导线加偏磁场可控原子磁囚禁 中文摘要 由于塞曼效应，中性原子的磁囚禁原理是基于原子的磁偶极矩与磁阱的非均匀 磁场之间的相互作用势；当相互作用势为负时，原子将受到一个吸引力的作用，处 于强场搜寻态的原子将被吸引到磁场最大的囚禁中心(交流磁囚禁)；而当相互作 用势为正时，原子将受到一个排斥力的作用，处于弱场搜寻态的原子将被推向磁场 最小的囚禁中心(静磁囚禁)，从而实现冷原子的三维磁囚禁。 本文提出了一种新颖的采用撑形载流导线加偏磁场相互作用的实现中性冷原子 磁囚禁的双阱或四阱方案：通过改变外加偏磁场的大小与方向，可将囚禁中心由一 个分裂为两个或四个，反之亦然。详细计算和分析了上述载流导线磁场的空间分布， 研究发现在导线中通以较小的电流并附加一定的偏置磁场，即可在基底表面上方50 微米附近产生磁场零点或磁场最小值。并且通过改变外加偏置磁场的大小和方向， 即可实现中性冷原子的双阱磁囚禁或四阱磁囚禁。最后，采用经典Monte．Carlo方 法，模拟了冷原子团磁囚禁的动力学过程，验证了本方案双阱磁囚禁或四阱磁囚禁 的可行性。所以，本文提出的该方案不仅适用于制备双样品或四样品磁光囚禁 (MOT)，还可用于研究中性原子的冷碰撞等。 中图分类号：0436 文献标识码：A 关键词：中性原子；磁囚禁；载流导线；偏磁场；Monte．Carlo模拟 作 者：吴明眼 指导教师：刘南春 Controllable Controllable atom traps by#-Shaped current—-carrying wires with bias magnetic field Ab stract Due to the Zeeman effect，the principle of magnetic trap for neu仃fl atoms is based on the interaction potential between a neutral atom witll a magnetic dipole moment and a static，inhomogeneous magnetic field．The atom in the strong-field—seeking state will be attractive to the trap center、析Ⅱl the maximum magnetic field when the interaction potential is negative，which Can be used to realize the three dimensional trap of cold atoms．The atom in the weak-field·seeking state will be repulsed to the trap center、析th the minimum magnetic field when the interaction potential is positive，which Can be used to realize the three dimensional trap of cold atoms． A novel current-carrying wires witIl the external bias magnetic field to achieve magnetic trap of neutral atoms is proposed．By changing the external bias field，the magnetic field Can be split into two or four minimum value，and vice versa．Calculated and analyzed the magnetic field spatial distribution of the current—carrying wires，the study found that when the wires、^，itll the small current．above the surface of the substrate near 50 microns generated one zero magnetic field point or one magnetic field minimum point．Therefore，t