尼曼 半导体物理与器件第八章.pptVIP

第八章 pn结二极管 * 当空间电荷区中电子-空穴对产生之后，立即被耗尽区中电场拉向两侧，形成pn结中的反偏产生电流，这个反偏产生电流与理想反偏饱和电流将构成pn结总的反向饱和电流。 根据前面的复合率公式，计算反偏产生电流的密度。 假设Et=EFi，则n′=p′=ni，因此 由式（6.103）、（6.104）中寿命的定义，则 第八章 pn结二极管 * 定义载流子的平均寿命：τ0=(τp0+τn0)/2，则 负复合率即产生率，因此G为空间电荷区内电子与空穴的产生率。由下式可确定产生电流的密度： 假设空间电荷区内的产生电流为恒定值，则 总反偏电流密度为理想反向饱和电流密度与反向产生电流密度的和，即 JS与反偏电压VR无关，但Jgen则是耗尽区宽度W的函数，而W又是VR的函数。因此，实际的反偏电流密度与VR有关。 第八章 pn结二极管 * 反偏pn结耗尽区中，电子和空穴的浓度基本为零，而正偏pn结中，电子和空穴要通过空间电荷区实现少子注入，因此在空间电荷区中会存在一定的过剩电子和过剩空穴，这些过剩电子和过剩空穴之间就会发生复合，形成耗尽区复合电流。 正偏复合电流 利用平均寿命公式，复合率公式改写为 右图为正偏pn结的能带图，图中给出了本征费米能级以及电子和空穴的准费米能级位置。 第八章 pn结二极管 * 按照第6章中有关准费米能级的定义，有： 其中，EFn和EFp分别是电子和空穴的准费米能级。 由上图可知 其中，Va为外加正偏电压值。 假设Et=EFi，则n′=p′=ni。在空间电荷区的中心，有 此时，n、p的表达式改写为 又设τn0=τp0=τ0，则复合率表达式可写为 第八章 pn结二极管 * Rmax为正偏pn结中心处的电子与空穴的最大复合率。若VakT/e，则 复合电流密度可由下式求得 空间电荷区内的复合率并不是常数，但由于已计算出空间电荷区中心处的最大复合率，则 第八章 pn结二极管 * 由于τ0不是一个确定的参数，因此习惯上令x′=W。因此 总正偏电流 pn结中总正偏电流密度是复合电流密度与理想扩散电流密度之和。 空间电荷区中存在载流子复合时，由p型区中注入过来的空穴数目必须增加，这样才能维持中性n型区中少子空穴的浓度分布。 少子空穴在中性n型区中的分布 第八章 pn结二极管 * 总正偏电流密度为复合电流密度与扩散电流密度，即 其中， 对上述两式分别求对数可得： 由右图可见： 电流密度较低时，正偏pn结中以空间电荷区复合电流为主； 电流密度较高时，以理想pn结的扩散电流为主。 第八章 pn结二极管 * （2）大注入 随着正偏电压的升高，注入的少子浓度开始升高，甚至变得比多子浓度还要大。 由式（8.18）可知 大注入情况下，δnn0及δpp0，所以上式可近似为 由于δn=δp，所以 二极管电流与过剩载流子浓度成正比，所以 第八章 pn结二极管 * 右图绘制出了从低偏压到高偏压情况时的二极管正偏电流曲线。 低偏压时，复合效应； 高偏压时，大注入效应。 第八章 pn结二极管 * 8.3 pn结的小信号模型 某静态工作点Q附近，其增量电导为： （1）扩散电阻 二极管的电流可表示为： 前面讨论的是pn结二极管的直流特性，实际应用中关心的是其小信号等效电路模型。 第八章 pn结二极管 * 其倒数定义为二极管在静态工作点附近的增量电阻，即： 如果二极管外加的正向偏置电压足够大，则电流方程中的（-1）项可以忽略，因此其增量电导为： 相应地其小信号的增量电阻为： 上述小信号增量电阻也称为扩散电阻。 第八章 pn结二极管 * 当pn结处于正偏时，同样也会表现出一种电容效应。 可见，正偏电压Va随时间变化，因此注入的少子浓度也随时间而不断变化。 （2）小信号导纳 如图所示，pn结正偏直流电压Vdc上同时又叠加一很小的正弦交流电压，则总正偏电压可表示为： 第八章 pn结二极管 * 以空穴由p型区注入n型区为例，在t0、t1、t2三个时刻，n型区一侧空间电荷区边界处少子空穴的浓度分别如下图所示。由图可见，空间电荷区边界处少子空穴浓度也在直流稳态基础上叠加一个随时间变化的交流分量。 由前面分析可知，空穴从耗尽区边界处开始不断地向n型区中扩散，并在n型区中与多子电子相复合。 第八章 pn结二极管 * 假设交流电压信号的周期远大于过剩载流子往n型区中扩散所需的时间，因此空穴浓度在n型区中随空间分布可以近似为一种稳态分布。 这种n型区空穴与p型区电子的充、放电过程产生的电容效应，称为扩散电容（Cd）。其物理形成机制与第七章中讨论的势垒电容有很大不同。正偏pn结扩散电容要比其势垒电容大得多。 阴影面积表示的是在交流电压的周期内轮流充、放电的电荷△Q 第八章 pn结二极管 * pn结二极管的小信号等效电路模型可根据其正偏下的小