碳化硅光伏逆变器发展现状 .docxVIP

透 视INSIGHT碳化硅光伏逆变器发展现状■ 文 / 孙 凯陈 彤张瑜洁泰科天润半导体科技（北京）有限公司一、碳化硅功率器件的重要性从工业革命到现在，能源作为人 类生活和工业水平进步的基础，有着 透 视 INSIGHT 碳化硅光伏逆变器发展现状 ■ 文 / 孙 凯 陈 彤 张瑜洁 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 一、碳化硅功率器件的重要性 从工业革命到现在，能源作为人 类生活和工业水平进步的基础，有着 极其重要的地位。当前人类获取使用 的能源多数是不可再生能源，但随着 世界经济发展，工业水平提高，能源的 需求量也将越来越大，单一使用化石 能源显然会越来越难以满足目前世界 工业和经济发展的需求。现在世界上 许多国家都在倡导可再生能源的利 用，其中太阳能呼声较高。太阳能开发 方便，不需要运输和开采 ；不会对环 境造成负担 ；总量巨大可以说取之不 尽、用之不竭。光伏效应可以将太阳能 转化成电能，这成为利用太阳能的一 种有效手段。 1992年“世界环境与发展大会”通 过的《里约热内卢环境与发展宣言》、 《21世纪议程》和《联合国气候变化框 架公约》等重要文件，着重关注环境和 发展，确立了可持续发展的模式。此 后，世界各国都更加注重利用开发太 阳能。中国政府对此也高度重视，制定 了《中国 21世纪议程》和《新能源和可 再生能源发展纲要》等文件，进一步明 确了太阳能重点发展项目，坚定了大 力发展太阳能的决心，同时也刺激了 国内光伏行业的发展。 近几十年来，全球范围内的光伏 电池产量逐年增加，年均增长率超过 50%。尤其进入 21世纪后，这一增速更 快。我国也紧跟潮流，2007年之后，我 国光伏产业发展速度远超全球平均水 平。2010年，全球共生产光伏电池容量 为1 600万k W，其中我国占 60%以上。 同年，全球光伏发电总装机容量接近 4 000万k W，大部分应用在发达国家 市场 ；其中德国作为发展光伏产业的 领头羊 2010年新增装机容量占全球 装机总量的近 20%。随着太阳能光伏 产业的发展，各项技术日渐成熟，使得 各部分的成本都得以降低，光伏发电 的经济性大幅提高。 为了实现光伏并网发电，其中的 一项关键技术就是逆变器，用于将光 伏效应产生的直流电转换成交流电， 便于并入电网加以利用，因此光伏并 网逆变器是光伏发电技术的核心，逆 变器的工作效率很大程度上决定了太 阳能的利用效率。研究光伏并网逆变 器对于发展清洁能源、减少环境污染 具有深远的意义。 电力半导体器件是光伏并网逆变 器的核心部件。现如今在电气行业中 34 Advanced Materials Industry INSIGHT击穿电场高的特性使得其实现输变 电技术对功率半导体器件的耐高压 的 INSIGHT 击穿电场高的特性使得其实现输变 电技术对功率半导体器件的耐高压 的要求变得更加容易。 （3）SiC 功率器件的比导通电阻小 功率半导体器件的比导通电阻 跟材料击穿电场的立方成反比。由于 S i C的击穿电场是S i的 10倍左右，所 以S i C器件比S i器件的比导通电阻要 小得多。也就是说，在击穿电压相同的 情况下，S i C器件的比导通电阻值只 有Si器件的百分之一。SiC器件较低的 比导通电阻可以使系统的损耗降低， 从而使系统效率得到提高。 （4）SiC 材料的热导率高 S i C材 料 的 热 导 率 大 约 为 4.9W /（c m·K），这个值比S i材料和 G a A s材料分别高大约 3 ～10倍。鉴于 S i C的这个优势，如果集成电路采用 S i C材料来制作，就可以使散热系统 得到极大的减少，也就可以使装置的 质量以及体积得到有效地减小，进而 使系统的集成度得以提高，并且在高 温以及高辐射的环境中使整个系统的 稳定性和可靠性得到很好的改善。比 如S i C场效应晶体管（J F E T）在 500℃ 下加压测试，成功工作 2 000h，器件性 能并没有发生明显改变，表现出器件 良好的可靠性。S i C器件高温传感器， 探测器和电子控制系统已经成功应用 于各种高温环境，例如石油勘探、宇宙 飞船、钻井等，克服了传统材料在高温 应用方面的缺陷。 （5）电子饱和漂移速度高 S i C材料的电子饱和漂移速度是 Si材料的 2.5倍左右，因此具有开关速 度快和电流密度高的优势，因此特别 适合高频和大功率方面的应用。 由于S i C功率器件具有高击穿电 压，高工作频率且耐高温等 优势，同 时比导通电阻以及开关损耗也较小， 所以采用S i C功率器件可以很大程度 地降低系统的功耗以及减小系统的 质量和体积。特别是在高频、高 温和 大功率电力电子应用领域，S i C电力 电子器件优异的电气性能使其具有 S i半导体器件难以比拟的巨大应用