- 1、本文档共80页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
现代CMOS工艺基本流程培训课程(ppt)
* Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 IMD抛光 IMD抛光 CMP * Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 Photoresist 光刻胶成形 光刻胶成形 用于定义通孔(Vias) * Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 Photoresist IMD1 通孔刻蚀 通孔刻蚀 基于氟的RIE,获得垂直的侧墙 提供金属层之间的连接 * Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 除去光刻胶 * Tungsten Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 W Via Plug TiN和钨淀积 TiN和钨淀积 同第一层互连 * Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 W Via Plug 钨和TiN抛光 钨和TiN抛光 同第一层互连 * Trench Oxide Polysilicon Cross Section N- Well P- Well N+ Source/Drain P+ Source/Drain Spacer Contact Metal1 Via1 平面视图 完成通孔 * Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 W Via Plug Metal2 Metal2淀积 Metal2淀积 类似于Metal1 厚度和宽度增加,连接更长的距离,承载更大的电流 * Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 Photoresist IMD1 W Via Plug Metal2 光刻胶成形 光刻胶成形 相邻的金属层连线方向垂直,减小层间的感应耦合 * Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 Photoresist IMD1 W Via Plug Metal2 Metal2刻蚀 Metal2刻蚀 类似于Metal1 * Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 W Via Plug Metal2 除去光刻胶 * Trench Oxide Polysilicon Cross Section N- Well P- Well N+ Source/Drain P+ Source/Drain Spacer Contact Metal1
文档评论(0)