zn2sio4基微波介质陶瓷的低温烧结及其性能的研究材料学专业论文.docxVIP

西南科技大学硕士研究生学位论文 西南科技大学硕士研究生学位论文 第1页 摘 要 移动通信系统的快速发展需要微波器件小型化、片式化、集成化。 应用在小型的微波介质器件上的多层低温共烧陶瓷(LTCC)器件得到 广泛的研究。Zn2Si04陶瓷基板材料由于其优异的微波介电性能，可 广泛用于微波领域。但Zn2Si04陶瓷烧结温度高，因此实现其低温烧 结非常重要。本文通过添加ZnO．B203一Si02(ZBS)玻璃和氧化铋作为 助烧剂来降低Zn2Si04陶瓷的烧结温度。采用XRD、SEM、EDS、 TG—DTA、网络分析仪等方法对样品的物相、显微形貌、热分析、元 素组成和微波介电性能进行测试表征。结论如下： 以ZnO和Si02为原料，采用固相法制备出不同锌硅比的 xZnO．Si02(x=2．0、1．9、1．8、l，7、1．6)陶瓷。结果显示：所有陶瓷样 品的主晶相都具有硅锌矿结构，当x=2．0时，陶瓷样品中存在少量ZnO 杂相。随着x的降低，ZnO相消失，陶瓷中出现少量Si02相。陶瓷样 品在1 300℃烧结致密，其中x=1．9时晶粒尺寸较大。随着Si02的增多， 晶粒尺寸减少，并且当x=1．6时，晶粒周围有明显的玻璃态物质出现。 Q r值随着Si02的含量增大先增大后减小，当x=1．8时，1 3 00℃烧结的 陶瓷具有较好的微波介电性能：Qt=72300GHz，￡，=6．7 1，T，’一37×l 0‘6／ ℃。 以ZBS玻璃为烧结助剂，采用普通陶瓷工艺制备不同ZBS玻璃添 加量的1．8ZnO—Si02陶瓷样品。结果显示：添加ZBS玻璃可降低 1．8ZnO—Si02陶瓷的烧结温度至950℃。随着玻璃添加量的增加 1．8ZnO．Si02陶瓷的介电常数与品质因数都相应的降低。当玻璃添加 量为20 wt％时，900℃保温2h所制备的陶瓷具有较低的介电常数： ￡。=6．85， 较高的品质因数Q r_3 1 690GHz， 频率温度系数为： tf=一28×l 0-6／℃，在低温共烧陶瓷领域有着潜在的应用价值。 以Bi203为烧结助剂，采用普通陶瓷工艺制备不同氧化铋添加量 的1．8ZnO．Si02陶瓷。结果显示，当添加量小于5m01％，陶瓷出现 Bi4Si 301 2，而当氧化铋添加量增加到7m01％时，基料中的Si02相消失， 出现Bi12Si020。添加氧化铋后可降低1．8ZnO-Si02陶瓷的烧结温度至 900℃以下，并导致少数晶粒的异常长大。随着氧化铋添加量的增加， 西南科技大学硕士研究生学位论文 西南科技大学硕士研究生学位论文 第1I页 陶瓷的介电常数增加，品质因数呈现先增大后减小的趋势。当氧化铋 的的添加量为7 m01％时，900℃下烧结2小时的陶瓷样品具有相对较 好的微波介电性能：gr=7．7，Q，=l 3200GHz，T，=．3 2×1 0一／。C。 关键词：LTCC Zn2Si04 微波介质陶瓷 ZBS玻璃 Bi203 西南科技大学硕士研究生学位论文 西南科技大学硕士研究生学位论文 第1II页 Ab s t r a ct The development of mobile communication systems requireS the minizturization， chip and integration of microwave devices． Low．temprature cofired ceramic(LTCC)multilayer devices have been extensively investigated in an attempt to miniaturize microwave devices．Since they exhibit excellent microwave dielectric properties， Zn2Si04 ceramic substrate materials have been widely investigated in microwave communication fields．However，the sintering temperature of the Zn2Si04 ceramics was high and needs to be decreased before they can be considered for use as LTCC devices．In this paper，we tried to reduce the sintering temperature of Zn2Si04 ceramic by adding the ZnO．B203．Si02(ZBS)glass and Bi203 as sintering aid