韩国半导体产业技术跨越研究.pdfVIP

2006 年第2 期 科技管理研究 2006 No. 2 Science and Technology Management Research 文章编号：1000 - 7695 （2006 ）02 - 0042 - 03 韩国半导体产业的技术跨越研究 陈德智，陈香堂 （上海交通大学 管理学院，上海 200052 ） 摘要：半导体产业是信息产业生态链中关联度最大的产业，是投入大、利润高的产业，也是战略性和市场 性同时兼备的产业。而对于后进国家来说，半导体产业的技术跨越路径的选择至关重要。韩国半导体产业正是 经历一个从以企业为主的技术引进开发，到政府主导的DRM 核心基础技术的合作开发与后续技术的企业自主 开发，再到以企业为主的自主开发的过程而成功实现技术跨越的。本文对上述过程予以分析，并指出其对我国 半导体产业发展的借鉴意义。 关键词：技术跨越；韩国半导体产业；技术创新 中图分类号：F124. 3 文献标识码：A - 4G ”的轨迹发展。经历了20 年的后步封装、OEM 及全 1 序言 工序生产实践以后，韩国于1986 年开始进入了存储器的自 半导体工业是信息产业生态链中关联度最大的产业， 主开发阶段，于1992 年末与美日等先进国家同期开拓64M 是投入大、利润高的产业，也是战略性和市场性同时兼备 DRAM ［1］ ，并拥有了世界上第一块64M DRAM 芯片 ，完成 的产业，世界各发达国家政府都从国家战略的高度大力支 了追赶，到1994 年领先美日开拓了256M DRAM ，标志其 持。韩国从一开始便选择了通用性强的动态随机存储器 实现跨越。1996 年，它又开发了1G DRAM ，2001 年4 月率 （ DRAM ）作为其半导体产业的发展重点，使其沿着 “1K - 先开发出了4G DRAM ，成为内存方面世界上技术最强的技 4K - 16K - 64K - 256K - 1M - 4M - 16M - 64M - 256M - 1G 术国家，如表1、2 所示。 表1 半导体DRAM 技术差距的变化 64 K 256K 1M 4 M 16M 64 M 256M 美、日开发时间 1979 年 1982 年 1985 年 1987 年末 1990 年初 1992 年末 1994 年中 韩国开发时间 1983 年 1984 年 1986 年 1988 年初 1990 年中 1992 年末 1994 年初 技术差距 4 年 2 年 1 年 6 个月 3 个月 同时 领先 资料来源：金麟洙著. 从模仿到创新，北京：新华出版社，1997 ：175. 表2 几代存储器产品投产时间 64 K 256K 1M 4 M 16M 64 M 投产时间 （年） 1984 - 1985 1985 - 1988 1988 - 1990 1990 - 1992 1992 - 1996 1996 - 1