新型全缓冲模组内存散热器研究-中国科技论文在线.PDFVIP

中国科技论文在线 第32卷 第 l期 电 子 器 件 Vo1．32 No．1 2009年 2月 ChineseJourna1OfElectronDevices Feb．2009 ResearchoftheNew FB—DIM M M emoryRadiator TAIXiao—liang，WANG W en (InstituteofRefrigerationandCryogenics，ShahghaiJiaoTongUniversity，Shanghai200240，China) Abstract：W iththedevelopmentofelectronicstechnique，themicroelectronicdevicepackaging densityof memorybecomesmorecomplexandcompact，itspowerdensityandamountofheatdissipation increases corresponding1y．Therefore，twokindsofnew FB~DIMM memoryradiatorweredesignedanddiscussed， theheattransferperformancewassimulatedbyusingCFD software．Inaddition，anexperimentaltestwas carriedoutonthenew radiators，thenumericalresultswerecomparedwiththeexperimenta1resultsto show thecoincidence．Theanalysisresultindicatedthat，with50℃ ambienttemperatureand4m／sair speed，thewholesufacetemperaturewasunder80℃ ，whichcansatisfytheneedsinuseofFB-DIMM memory． Keywords：chipcoolingtechnique；memoryradiator；numericalsimulation；Experimentalstudy EEACC：0170J；8560 新型全缓冲模组 内存散热器研究 邰晓亮，王 文 (上海交通大学制冷与低温工程研究所，上海 200240) 摘 要：随着电子技术的发展，内存器件的封装密度和功率密度都在不断提高，单位体积发热量也有所增加。为此，设计并 讨论了两种新型的FB-DIMM 内存散热片，利用CFD软件对其散热性能进行了模拟并给出了求解结果。此外，对两种新型散 热器片进行了实验测试，并将实验结果与CFD求解结果进行了比较 ，两者 比较吻合 。分析结果表明：当环境温度为 50℃时， 在4m／s的风速情况下，使用这种新型散热片，整个内存表面的温度低于80℃，可满足内存的使用要求。 关键词 ：芯片散热技术；内存散热器；数值模拟；实验研究 中图分类号：TN34 文献标识码：A 文章编号：lOO5—949O(2OO9)O1．0222一O4 随着近年来CPU运算性能的飞速提升，内存 DDR内存发展的局限性__1]。 带宽已逐渐成为了阻碍系统提速的最大瓶颈。目前 F DIMM 内存和 目前市场上的DDR 内存在 处于主流的DDR(DoubleDateRate)双倍资料传输 外观上极为相似，但实际上，两者有着截然不同的运 内存技术已经发展到极致，受其设计架构的限制， 作机理。首先，FB-