键合深刻蚀释放工艺北京大学微电子研究院微米纳米加工技术国家重点.docVIP

1.1、1.2步 1.1、1.2步 3.3步 3.1、3.2步 3.4~3.6步 1.3步 2.1、2.2步 2.3步 图1、键合深刻蚀释放工艺流程示意 玻璃衬底 质量块固定端 电容间隙 硅弹性梁 硅质量块 固定电极 微硅加速度计芯片结构 键合深刻蚀释放工艺 北京大学微电子研究院“微米纳米加工技术国家重点实验室”，结合多种MEMS器件研究的需求开发了一套标准工艺，并申请了发明专利。为体现硅深刻蚀和键合两项新技术的特种，所设计工艺起名为“键合深刻蚀释放”，具体的工艺断面结构和制造的加速度计见图1，工艺流程为： 1、硅片工艺部分 1.1淀积氧化硅（SiO2）、腐蚀背面SiO2 1.2正光刻、腐蚀SiO2 1.3硅浅台阶腐蚀、去除SiO2 2、PYREX7740玻璃片工艺部分 2.1光刻、腐蚀玻璃浅槽 2.2溅射电极金属Ti/Pt/Au 2.3剥离形成金属电极 3、组合工艺部分 3.1硅片，玻璃片键合对准 3.2硅/玻璃静电键合 3.3硅片腐蚀减薄 3.4划片 3.5双面光刻 3.6高深宽比硅刻蚀释放结构 从接近接触式双面光刻设备产业化使用的实际工艺能力和高深宽比硅刻蚀工艺成品率两个关键工艺因素出发，键合深刻蚀释放工艺设计的最小线宽为4～5微米，结构厚度为60～80微米是比较合理的选择。通过与器件研究项目的深入合作，这套工艺已得到广泛的应用，器件设计人员已利用这套工艺设计了几十种器件，涉及了惯性、流体、射频、自动控制等领域的传感器和驱动器等。 键合区 键合区 弹性悬臂 图2 微硅陀螺结构局部