半导体可饱和吸收镜与啁啾镜技术的分析光学工程专业论文.docxVIP

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半导体可饱和吸收镜与啁啾镜技术的分析光学工程专业论文

内容摘要本文jj要阐述了半导体可饱和吸收镜技术和色散补偿啁啾镜技术的发展、相 内容摘要 本文jj要阐述了半导体可饱和吸收镜技术和色散补偿啁啾镜技术的发展、相 关的理论分析以及相应的实验研究;文章同时还简要介绍了实时相关测量技术的 发展以及基于光二极管的实时相关测量技术。论文内容主要包括以下几个部分: 1、 简要介绍了1{1秒激光脉冲的发展历程和现状。自从1974年Shank和Ippen 首次在染料激光器中得到小于一个皮秒的超短激光脉冲进入飞秒领域以 来,飞秒激光技术的发展日新月异。与以往的激光脉冲相比,由于飞秒激 光脉冲具有脉冲宽度窄、发光谱带宽以及峰值功率高的突出优势,使得它 能够在诸如精细加工、远程通讯和微观超快等领域发挥出巨大的作用和广 阔的应用前景。 2、 详细阐述了半导体可饱和吸收镜的原理、结构和发展历程。半导体可饱和 吸收镜技术的问世在一定程度上极大的改善了以往锁模激光器中的锁模自 启动问题。利用半导体可饱和吸收体的双时间效应做为时间选通门,通过 对于入射激光脉冲的有效可饱和吸收可以很好的完成对激光脉冲的锁模自 启动,从而使得飞秒激光脉冲的锁模运转变得更加稳定可靠。为了适应产 生更短激光脉冲的需要,人们进行了长时期的不懈努力和探索。从结构上 的改进到腐蚀加工工艺的进步,从早期的反谐振半导体可饱和吸收镜到今 天的超宽带低损耗半导体可饱和吸收镜,做为一种腔内的激光器件,半导 体可饱和吸收镜既可以在较宽的谱带上实现高反射,减少插入损耗,又可 以满足可饱和吸收的需要,有效地启动锁模。 3、 通过对于半导体可饱和吸收镜中电场的分析和计算,可以为可饱和吸收体 的插入位置选择提供有力的依据,进而更加易于实现稳定的锁模启动和支 持。文中详细阐述了相关电场的计算方法,同时对于不同结构下的电场分 布情况和反射率分布情况进行了系统的分析和比较,证明三层膜结构具有 更高的反射率(金属膜+A1203+Ti02/Si02);实验在钛宝石激光器中利用半 导体可饱和吸收镜有效的实现了锁模的自启动运转,可饱和吸收体采用 lnGaAs双量子阱结构,厚度分别为4.5nm和5nm;同时对于可饱和吸收锁 模的动力学过程进行了详尽的分析和讨论,实验得到飞秒锁模脉冲建立时 问为300,us。 色散补偿情况的优劣将极大的影响超短脉冲激光的产生,高阶色散的有效 色散补偿情况的优劣将极大的影响超短脉冲激光的产生,高阶色散的有效 补偿是获得亚10fs激光脉冲的关键。啁啾镜的出现可以实现对高阶色散进 行有效的补偿。文中详细地阐述了啁啾镜的色散补偿机制及其基本原理, 并且剥于不同种类的色散补偿镜也进行了相应地讨论。做为一种腔内的色 散补偿元件,啁啾镜必须在足够宽的光谱范围内对不同的波长实现有效的 色散补偿以支持超短激光脉冲的产生;同时做为一个腔内器件又要求它在 一定的反射带宽范围内具有较高的反射率,满足足够小的插入损耗要求。 实际结构中膜层并不是传统的四分之一膜系,而是以不同的层对形成对不 同中心波长的高反,这样在时问上将不同的波长相互分离,从而形成相应 的色散补偿。 色散补偿机制的优劣主要体现在色散曲线中相应带宽范围内色散量的起伏 振荡变化程度和高阶色散的分布情况。文中通过优化设计啁啾镜中的膜层 结构,得到了一系列相关的结果,其中色散量的大小,色散带宽的大小、 反劓带宽的大小,膜层数的多少阻及膜层厚度的控制精度是制约啁啾镜色 散补偿机制的主要因素。通过适当的选择初始优化设计参数,我们得到了 较为理想的膜层结构:膜层总层数为54层,材料为交替镀制的Ti02/Si02, 对应色散优化的中心波长为800nm,反射带宽为650nm~950nm,可提供 单.次优化二阶色散量为--40fs2,色散带宽为700rim~900hm。但是实际加 ]:水平和加工工艺的制约将会直接影响到膜层厚度的控制以及膜层数量的 多少,从而对啁啾镜的镀膜质量产生较大的影响。实验中利用自己优化设 计的啁啾镜进行了相关的锁模实验研究并取得了预期的结果。 飞秒激光脉冲产生以后离不开相应的实时测量手段。文中简要阐述了传统 的基于倍频晶体的二次谐波实时测量方法,同时较为详细的阐述了基于光 二:极管的双光子吸收的实时测量方法。与以往的测量方式相比基于光二极 管的实时测量方法结构更为简单紧凑,同时由于光二极管的高效光电响应 特性使得测量变得更加方便快捷,在140mW的入射平均功率下最大光电响 应可达1000mV。利用自己设计的基于光二极管的实时相关钡4量仪对钛宝石 激光振荡器所产生的锁模飞秒激光脉冲进行了实时的测量,锁模激光脉冲 中心波长为815nm,重复频率为90MHz,输出平均功率为250mW,实验得 到了很好的自相关8:1曲线,测得脉冲宽度为36fs,光谱宽度为24nln,时间带宽积△v 到了很好的自相关8

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