半导体金属蚀刻机台於预防维修时之污染物逸散控制学生古坤文指导.PDFVIP

半導體金屬蝕刻機台於預防維修時之污染物逸散控制 學生：古坤文 指導教授 ：蔡春進 國立交通大學工學院產業安全與防災學程碩士班 摘 要 半導體金屬蝕刻製程主要使用Cl (氯氣)、BCl (氯化硼)等氣體，以 2 3 高能電漿(plasma)離子化產生自由基(free radicals)後使其與晶圓表面之鋁 反應將多餘之鋁蝕刻而產生溝槽。為維持晶圓生產良率須定期進行腔體的 預防維修保養，主要清除反應腔壁所附著製程副產物。在打開密閉反應腔 及擦拭腔壁時會產生極刺鼻味道且含有HCl 、HCN 、CNCl 等毒性氣體，會 逸散至潔淨室，所造成勞工健康危害。 本實驗主要目的在研究金屬蝕刻預防維修保養擦拭反應腔時，建立良 好反應腔(內徑30.5cm x 21.5cm)污染物逸散控制方法與探討其控制效率。實 驗以固定流量的 1000 ppm 追蹤氣體SF6 在腔底連續釋放，以了解反應腔的 氣罩效率或反應腔上方全開，在側邊視窗孔抽氣時對污染物逸散的控制效 率。在氣罩的控制效率實驗時，在反應腔底SF6 流量為5 LPM釋放，腔面外 加上本實驗所設計氣罩並與潔淨室內低真空抽氣軟管銜接抽氣控制；利用 反應腔側邊抽氣的控制效率實驗時，反應腔底的SF6 以1 lpm、5 lpm 、8 lpm 、 10 lpm 釋放。以上兩種實驗的氣罩或側邊抽氣流率均為3130±68 lpm 。污染 物量測儀器為FTIR ，量測點包含呼吸帶與低真空抽氣軟管末端。抽氣效率 定義為SF6 於腔底部釋放與低真空軟管前段釋放時，兩者在低真空抽氣軟管 末端SF6 平均濃度之比值。 實驗結果顯示在反應腔於進行定期預防保養維修擦拭時，於反應腔視 窗孔處進行抽氣，可有效的控制危害性的氣體逸散控制，在呼吸帶測得的 追蹤氣體SF6 濃度均低於FTIR 之偵測下限。反應腔全開之抽氣控制效率最 高98.8 % ，與使用氣罩時之控制效率97.5 %不相上下。因此在反應腔全開 之情況下，在側邊的視窗孔抽氣，可有效的控制氣體污染物逸散，此方法 可以廣泛的應用至半導體金屬乾蝕刻機台的預防保養作業。 關鍵詞：潔淨室、半導體、金屬蝕刻、抽氣罩、污染物控制。 i Controlling Pollutant Dispersion during Preventative Maintenance of a Metal Etcher in a Semiconductor Factory student ：Kwen-wen Ku Advisor: Chuen-Jinn Tsai Degree Program of Industrial Safety and Risk Management College of Engineering National Chiao Tung University ABSTRACT The main gases in metal etching are hydrogen trichloride and boron chloride in semiconductor manufacturing processes. The process gases are ionized to form free radicals by plasma, which etch off aluminum film of the wafer surface. To increase product yield, the by-product deposited on the reactor chamber must be cleaned during preventive maintenance. When we open and cle