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电解精炼制备太阳级硅杂质行为研究
第卷第期 年月
59 3 2010 3 物 理 学 报 Vol.59,No.3,March,2010
10003290/ 2010/ 59 03 /1 93808
() ACTA PHYSICA SINICA 2010 Chin.Phys.Soc.
电解精炼制备太阳级硅杂质行为研究
贾明田忠良赖延清李稢伊继光闫剑锋刘业翔
(中南大学冶金科学与工程学院,长沙 )
410083
(2009 年4 月22 日收到;2009 年6 月30 日收到修改稿)
在氟化物电解质体系下,把Cu 与冶金级多晶硅熔配成合金作为阳极,利用杂质与硅析出电位的差别,通过控
制电解工艺条件和参数,对冶金硅进行了电解精炼提纯研究.结果表明,阳极铜硅合金对硅中的杂质有滞留作用,
且在大电流密度下Cu不会随着合金中硅的减少而溶解到电解质中;预电解对电解质净化效果明显,XRF 分析表明
含量从 降为 ;阴极电沉积的硅呈颗粒状,并与电解质混杂,随着电解时间的延长,分散的硅的颗粒聚集
P 10 1 ppmw
成— 直径的大尺寸硅球 分析表明,最后得到的产物硅与冶金级硅相比,硼含量由 降低到
1 2 cm .ICPAES 127 22
,磷含量由 减少到 ,说明电解精炼除杂进行多晶硅的提纯是有效和可行的
ppmw 986 41 ppmw .
关键词:多晶硅,太阳电池,电解精炼,定向凝固
PACC 6125 K 6125 M 6170 R 8110
: , , ,
10 50 mA/
采用的沉积电流密度必须比较小,为—
2
1 引 言 cm ,电流效率低且沉积速率慢,使得电解沉积法制
备高纯硅一直未能得到实际应用.
近年来,光伏产业的发展对太阳级硅的需求日 从高纯铝生产和电解精炼的相关理论出发,作
[—]
1 4 . 者提出了一种“三层液熔盐电解精炼多晶硅”的新
趋紧迫 传统的西门子法提纯制备高纯硅材料
[ ]
11
是先将硅石还原成工业硅,然后氯化制成SiHCl ,再 方法.采用CuSi 合金作为阳极和硅源,利用杂3
对其进行还原. 生产流程安排上明显不合理,而且 质元素与硅电负性的差别,在电极和电解质都为熔
工艺复杂,能耗高,因此世界各国都相继开展了低 融态的条件下进行电解精炼.三层液的采用使得电
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