粪国试验警湖刊幻乎.PDF

维普资讯 第 n 畚 第 10抑l 物 理 化 学 学 报 V ．】1．No．10 1995年 l0月 ACTA PHY SICO ．CⅢ M ICA SIN ICA oct．．1995 Si(CH3)2CI2分子的电离电势和化学键能的测定 一 … 粪 国 实验警湖 刊幻 乎 陈文武 王朝晖 丁传凡 孔繁敖 f．己 (中国科学 孽丽丽 分子反应动力学国家重点实验室，北京 ~ooo8o) Si(CHs)2CI2, t_m~m 。 猕 ／ … 储一胡 有机硅化台物是半导体l工业中产生硅元件的基本原料和有机合成中的重要试剂，是多年来大 l实验装置和方法 本工作在 国家同步辐射实验室光化学实验站进行．进行分子真空紫外光 电离研究的实验系 统已在文献 …1中详细描述．同步辐射加速器产生的真空紫外光波长用Ne气的电离势标定，其 误差 士0．Inm．单色仪的分辨率为AIAA500． 光 电离产生的离子产物 由四极质谱仪检测．在进行实验测量时，扫描真空紫外光的波长，记 录下某一荷质 比离子的信号强度与波长的对应关系，波长扫描间隔为 0．1mn，每个波长点的取样 时间为 10秒．整个实验过程由计算机控制，实验结果经计算机处理后 由绘图仪绘出． 2 结果与讨论 图1(a)_(e)分别给出了单次实验剩得的各种离子光电离效率曲线，为确保实验结果的可靠 性，同种条件下至少重复二次．另由于二次谐波和本底的影响，噪声水平较高，但 由图1(a)一(e) 可 以看出，对应于离子出现势的波长值仍可明显确定． 2．1分子电离电势和离子出现势的确定 离子的出现势 (AppearancePotentia1)是指产生此离子所需要的最小能量．实验过程中 各种离子的出现势由下列方法测定，即设定四授质谱计的测量质量数为选定离子的荷质 比值，扫 描波长并记录离子信号强度变化，则离子开始出现的波长对应的能量定为该离子的出现势．显然 母体离子的出现势即是它的电离 电势． 1995．06-30收到初稿 1995-07-25收到修改稿 ．联系人 ：丁传凡． 国家 自然科学基金和 国家同步辐射实验 室开放基金资助项 目 870 维普资讯 110 1坫 圈 1si(CH3)2C12分子爰其碎片鼻子在布同谴长下的鼻子产量曲线 Fig．1Photoionizationyieldcurvesofphotofragmentsfrom Si(CHa)2C12 (a)Si(CH3)2c哼；(b)Si(Cn~)ClL (c)Si(Cit3)2Cl；(d)SiCl；(e)SiCH~+； 根据图l(a)的结果，测得 Si(CI)2C12分子的绝热电离电势为 IP(Si(CHa)2C12)=10．62土O．03eV(A：116．7±O．3rim) 关于m(cH3)2C12分子的绝热电离电势目前尚无报导．Green等人 (】根据他们测得的紫 外光电子能谱得到其垂直电离电势为 10．99eV 由他们报导的谱图分析 比较，本文测量的绝热电 离 电势是可靠的． 由图1(b)一(e)，得到各种离子的出现势分别为 AP(Si(CIIa)C1+)=1125士0．03eV(A=110．2土0．3rim) AP(Si(CHa)2C1)=12．69土O．04eV(A=97．7土0．3mn) AP($iC1)=15．16土0．1eV(A=81．8土0．5nm)