脉冲偏压占空比对多孔氧化硅薄膜性质的影响.pdfVIP

第 30 卷 第 2 期 核 聚 变 与 等 离 子 体 物 理 Vol.30, No.2 2 0 1 0 年 6 月 Nuclear Fusion and Plasma Physics June 2010 文章编号：0254−6086(2010)02−0189−04 脉冲偏压占空比对多孔氧化硅薄膜性质的影响 ， ， ， ， ， 1 2 3 2 3 2 3 2 3 1 杨沁玉 ，刘 磊 ，丁 可 ，张 菁 ，王庆瑞 (1. 东华大学材料学院，上海 201620 ；2. 东华大学理学院，上海 201620；3. 东华大学磁约束核聚变教育部研究中心，上海 201620) 摘 要：采用由脉冲负偏压调节的等离子体增强化学气相沉积方法，以硅烷为源气体，在玻璃基片上沉积得 到了多孔二氧化硅薄膜。将反应过程中加在沉积区域的脉冲偏压固定在−350V ，当占空比从 0.162 增大到 0.864 时，薄膜样品的形貌、成份和结构均不相同。扫描电镜照片表明，组成多孔氧化硅薄膜的颗粒在占空比增大时变 得细腻，并且薄膜整体变得多孔且蓬松。拉曼光谱和红外光谱结果显示，薄膜样品中的非晶硅和 Si−H 键在较高 的占空比下减弱甚至消失。占空比升高时氧化硅桥键所占比例持续增加。 关键词： 占空比；多孔氧化硅；拉曼光谱；红外光谱 中图分类号：O539 文献标识码：A 1 引言 偏压加载时间越长。扫描电镜分析显示，在同样的 氧化硅是一种轻质纳米多孔非晶材料，由于其 负偏压条件下，随着占空比的升高，薄膜的形貌明 独特的微观结构(包含纳米尺度的孔洞与微粒)而具 显改变，孔洞变得大且多。拉曼光谱和红外光谱表 有一些优异的性能。纳米多孔氧化硅薄膜可用作防 明薄膜的主要成分是Si−O−Si基团，在低占空比条 眩光涂层、高效绝热层、声阻抗耦合材料、低介电 件下有少量的非晶硅和Si−H键存在。 常数绝缘层、超高速集成电路基片以及分离薄膜、 过滤薄膜、催化薄膜等。因此，在光学、热学、声 2 实验 学、电学和化学等领域具有广阔的应用前景。因此， 实验采用的是自行设计的PECVD装置，如图 1 对纳米多孔氧化硅薄膜制备及性能表征的研究已 所示。实验时首先用真空泵将反应器中的空气排 成为材料相关领域的热点之一[1, 2] 。但是传统得到 出，将氩气和氢气(体积比95:5)充分混合后通入， 5 氧化硅薄膜都是采用湿法制备，这种方法严重污染 使反应器中压强维持在0.8×10 Pa附近，然后开启电 环境，不利于环保[3, 4] 。等离子体增强化学气相沉 源，在电极间产生均匀的等离子体。反应源气体硅 积(PECVD)方法则是在完全干态环境中进行的，并 烷通过等离子体区域时被裂解，在玻璃基片上沉积 且反应温度低，适合大面积制备。近年来，这种方 得到多孔氧化硅薄膜。为使放电均匀，实验采用平 法越来越受到人们的关注[5~7]。 行梳状电极，电极间距5mm左右。为了得到不同的 以往的PECVD方法制备薄膜通常在较低的气 性质薄膜，实验中在沉积区域加上脉冲偏压进行调 压下实现，由于被裂解的粒子能量较高，所以薄膜 节 ， 偏 压 固 定 在