竺延1试验方法长类似.pdf

维普资讯 第26卷 第 6期 电 子 显 微 学 报 Vol一26．No．6 2007年 12月 JournalofChineseElectronMicroscopySociety 20o7—12 文章编号 ：1000—6281(2007)06—0570—06 硅基高质量氧化锌外延薄膜的界面控制 王喜娜 ，梅增霞 ，王 勇 ，杜小龙 ，张晓娜 ，贾金锋 ，薛其坤 ，张 泽 (1．北京凝聚态物理国家实验室，中国科学院物理研究所，北京 100080： 2．北京工业大学固体微结构与性能研究所 ，北京 100022；3．清华大学物理系，北京 100084) 摘 要：本文利 用反射式 高能 电子衍射 (RHEED)、高分辨透射 电镜和 选区 电子衍射 方法 ，系统研 究了 Si(111)衬底 上制备高质量氧化锌单晶薄膜的界面控制工艺。发现低温下Mg(0001)／Si(111)界面互扩散得到有效抑制 。形成了 高质量的单晶镁膜 ，进一步通过低温氧化法和分子束外延法实现 了单 晶MgO缓冲层 的制备 。从而为ZnO的外延生 长提供 了模板。在这一低温界面控制工艺中，Mg膜有效防止 了Si表面的氧化 ，而 Mg0膜不仅为ZnO的成核与生长 提供 了优 良的缓冲层 ，且极大地弛豫 了由于衬底与 ZnO之 间的晶格失配所引起的应变。上述低温工艺也可用来控 制其它活性金属膜与硅的界面，从而在硅衬底上获得高质量的氧化物模板 。 关键词 ：ZnO／Si界面；低温界面控制 ；MgO缓冲层 ；透射 电镜 ；反射式高能 电子衍射 中图分类号 ：0484，1；TN304．2 1；TN304．054；TG115，215．3 文献标识码 ：A 近年来 ，因其3．37eV的带隙宽度和高达60meV 通过反射式高能电子衍射原位观测与高分辨透射 电 的 自由激子结合能 ，ZnO被认为是最具应用潜力 的 镜表征相结合 ，对该界面控制中的两个重要问题 ，即 短波长光电子材料之一 。因此，高质量 ZnO薄膜 不同衬底温度下镁原子的沉积行为和 MgO(111)缓 的制备与性能研究 已成为一个热点课题 ，受到人们 冲层的模板作用进行了深入的分析和探讨 。 。 长类似 。 。 竺延 1实验方法 ， 在 ZnO薄膜的外延生长中，蓝宝石是一种 、一 ～ “ 常用的衬底材料 ；另外 ，硅晶片也是可供选择的衬底 1．1 Si(111)衬底的化学清洗 之一。与绝缘的蓝宝石相 比，硅衬底不仅导 电性可 本实验所用衬底均为直径 2英寸 的Si(111)晶 控 、尺寸大 、结晶质量好 、价格低廉 ，而且与硅相关的 圆片。在硅片送入分子束外延腔之前进行化学清洗 光电子集成工艺已非常成熟 ；所以，ZnO基光电子器 以去除表面的有机物 、金属颗粒和氧化物膜 。我们 件与硅技术的集成具有很大的工业应用前景。在这 采用常规的方法进行化学清洗 ，具体过程如下 ：(1) 些应用中，硅衬底上的 ZnO外延生长技术起着非常 在丙酮溶液 中用超声波清洗 2次 ，每次 15min；(2) 重要 的作用。然而 ，硅 的表面非常容易氧化而形成 在三氯乙烯溶液 中超声清洗 2次 ，每次 15min；(3) 非晶SiO，，会阻碍 ZnO的外延生长 ；如何控制好 si 在5％的HF溶液 中浸泡 5min，然后用去离子水冲 与ZnO的界面 ，防止 Si表面被氧化是硅基 ZnO薄膜 洗干净 ；(4)在 80％的NH4F溶液中浸泡 30s后用去 制备中的核心环节。虽然一些研究小组尝试采用非 离子水冲洗干净。清洗后 的 sj片立