背面Ar＋轰击对n—MOSFET低频噪声的影响.PDFVIP

维普资讯 第 24卷第 3期 半 导 体 学 报 Vo1．24，No．3 2003年 3月 CHINESEJOURNAL OF SEMIC0NDUCTORS M ar．，2003 背面Ar+轰击对n—MOSFET低频噪声的影响 黄美浅 李观启 李 斌 曾绍鸿 (华南理工大学应用物理系 ，广州 510641) 摘要：研究了低能量背面 Ar轰击对 n沟MOSFET低频噪声的影响．用低能量 (550eV)的氩离子束轰击 n沟 MOSFET芯片的背面，能改善其饱和区和线性区的低频噪声频谱密度．饱和区低频噪声的减小可用载流子迁移率 模型解释，而线性区低频噪声的减小可用载流子数模型解释；其变化的原因可能与氩离子束背面轰击后反型层 电 子的有效迁移率、二氧化硅中的固定电荷密度以及硅一二氧化硅界面的界面态密度的变化有关． 关键词：背面Ar轰击；低频噪声；迁移率；界面态 PACC：7340；7850；8140；8160 中圈分类号：TN386 文献标识码 ：A 文章编号：0253—4177(2003)03—0307—05 率涨落模型主要适用于偏置于饱和 区的低频 噪 1 引言 声[1。’u]，而载流子数涨落模型主要适用于硅一二氧化 硅界面和二氧化硅 中局域态载流子的随机俘获和释 众所周知，双极型晶体管(BJT)和金属一氧化物一 放[1 ；而且，这些模型只有在限定的条件下才能 半导体场效应晶体管(MOSFET)的低频噪声会影 适用 ． 响集成 电路在高速工作时的带宽和稳定性．六十多 业已证明，MOSFET 中热载流子的注入会引起 年来，人们已经广泛研究了电子器件的低频噪声．与 其跨导和阈值电压的退化和低频噪声的增大[1 。。， BJT和结型场效应 晶体管(JFET)相 比，MOSFET 从而成为 MO．SFET 的重要 的稳定性问题．以前对 具有较大的低频噪声 ，从而影响到其工作的稳定性 这种现象的研究表明，由热载流子应力产生的器件 和可靠性．这种低频噪声起源于二氧化硅中的电荷 特性退化主要起 因于漏端高能载流子碰撞电离产生 和硅一二氧化硅界面的界面态L1q ；实验表明，MOS— 的界面态．反过来 ，通过测量低频噪声可以确定硅一 FET中的这种低频噪声在约 1O ～10Hz的频率 二氧化硅的界面态密度和分布[2卜柏]，并把它用作检 范围内，噪声功率谱密度 ()与频率(厂)成反 比，即 测如电阻器、齐纳二极管、雪崩二极管、激光二极管、 S(厂)oC厂～，其中 口=0．8～1．4．Ot最常见的值为 1，此 太阳能电池、双极型晶体管和MOS场效应 晶体管 时为纯 1／f噪声[3]．这类噪声谱表现为其时间常 等元、器件的非破坏性和灵敏的诊断工具 卜 ． 数有一个很宽的分布范围． 近年来的研究表明，利用低能量 (550eV)的氩 已经有人提出不同的机理来解释低频噪声的时 离子束轰击MOS晶体管芯片的背面，能有效地改 间常数分布[6]，并提出几种适用于 MOSFET低频 善 MOS电容器 的硅一二氧化硅界面特性 以及双极 噪声的模型，其中两种得到普遍承认的模型是迁移 型和MOS晶体管的电特性[2。 ．本文的工作表明， 率涨落模型[7,83和载流子数涨落模型[9]．从原则上来 利用这种方法还能改善 MOSFET 的低频噪声特 说 ，这两种涨落 中的任一种都可能存在 ，但是，迁移 性 ． 黄美浅 男，1946年出生 ，副教授 ，从事微